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晶閘管模塊陽極A與陰極K之間的電壓與晶閘管模塊陽極電流量之間關系稱為晶閘管模塊伏安特點，如圖2所所示。正向特點位于第一象限，反向特點位于第三象限。圖2晶閘管模塊伏安特點參數示意圖
（1）反向特點

當門極G開路，陽極加反向電壓時（見圖3），J2結正偏，但J1、J2結反偏。這時只有流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提升到J1結的雪崩擊穿電壓后，并且J3結也擊穿，電流量快速提升，如圖2的特點曲線OR段開始彎曲，彎曲處的電壓URO稱為“反向轉折電壓”。之后，晶閘管模塊會造成永久性反向擊穿。

（2）正向特性

當門極G開路，陽極A添加正向工作電壓時（見圖4），J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與一般PN結的反向特性類似，也只能夠流過很小電流量，這叫正向阻斷模式，當工作電壓增加，如圖2的特性曲線OA段逐漸彎曲，彎曲處的工作電壓UBO稱作“正向轉折工作電壓”。

因為工作電壓上升到J2結的雪崩擊穿工作電壓后，J2結造成雪崩倍增作用，在結區造成很多的電子和空穴，電子進到N1區，空穴進到P2區。進到N1區的電子與由P1區利用J1結注入N1區的空穴復合。同樣的，進到P2區的空穴與由N2區利用J3結注入P2區的電子復合，雪崩擊穿后，進到N1區的電子與進到P2區的空穴各自無法全部復合掉。

如此，在N1區便有電子積累，在P2區便有空穴積累，最后使P2區的電位上升，N1區的電位降低，J2結變成正偏，只需要電流量稍有增加，工作電壓便快速降低，產生所謂負阻特性，見圖2中的虛線AB段。此時J1、J2、J33個結均處在正偏，晶閘管模塊便進到正向導電模式——通態，此時，它的特性與一般的PN結正向特性類似，如圖2的BC段。

（3）觸發導通

在門極G上添加正向工作電壓時（如圖5所示），因J3正偏，P2區的空穴進到N2區，N2區的電子進到P2區，造成觸發電流量IGT。在晶閘管模塊的內部正反饋作用（如圖2）的根本上，添加IGT的作用，使晶閘管模塊提前導通，引起圖2中的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
圖5陽極和門極均加正向工作電壓

以上就是傳承電子晶閘管模塊的伏安特點的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。