
igbt模塊辨別測試
igbt模塊辨別測試
2021-04-22
igbt模塊絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)構(gòu)成的復(fù)合全控型工作電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體元器件,兼具MOSFET的高輸入電阻和GTR的低導(dǎo)通壓降兩層面的優(yōu)勢。GTR飽和壓下降,載流密度大,但驅(qū)動電流過大;MOSFET驅(qū)動功率較小,控制開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。igbt模塊結(jié)合了上述2種元件的優(yōu)勢,驅(qū)動功率小而飽和壓下降。特別適合用于直流電壓為600V及上述的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明線路、牽引傳動等方面。igbt模塊的辨別測試:辨別極性:先將數(shù)字萬用表撥在RTImes;1KΩ擋,用萬用表測量時,若某一極與其余兩極電阻值為無窮大,對換表筆后該極與...
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可控硅模塊:向強電沖擊的先鋒
可控硅模塊:向強電沖擊的先鋒
2021-04-25
可控硅模塊是可控硅整流元件的簡稱,是1種有著3個PN 結(jié)的四層構(gòu)造的大功率半導(dǎo)體元器件。事實上,可控硅模塊的功能不但是整流,它還能作為無觸點開關(guān)以快速連接或斷開線路,完成將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的逆變,將1種頻率的交流電轉(zhuǎn)換成另一種頻率的交流電,等。可控硅模塊和其它半導(dǎo)體元器件一樣,其有體型小、工作效率高、穩(wěn)定性能好、運行可靠等優(yōu)勢。它的形成,使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)生產(chǎn)、農(nóng)牧業(yè)、交通運輸、軍事科研以及商業(yè)、民用型電器等層面爭相使用的元件。 可控硅模塊的主要參數(shù)有:1、額定通態(tài)平均電流量IT在相應(yīng)條件下,陽極---陰極間能夠 持續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流量的平均值。2、正向阻斷峰值...
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igbt模塊的動態(tài)特性
igbt模塊的動態(tài)特性
2021-04-19
igbt模塊在導(dǎo)通環(huán)節(jié)中,大多數(shù)時長作為MOSFET來運作的,只是在漏源工作電壓Uds下降環(huán)節(jié)后期,PNP晶體管由放大區(qū)至飽和,又增添了一段延遲時間。td(on)為導(dǎo)通延遲時間,tri為電流量上升時間。具體用中常供應(yīng)的漏極電流量導(dǎo)通時間ton就是td(on)tri之和。漏源工作電壓的下降時間由tfe1和tfe2構(gòu)成。igbt模塊的觸發(fā)和斷開標準給其柵極和基極間添加正向工作電壓和負向工作電壓,柵極工作電壓可由不同的驅(qū)動電路形成。當選用這類驅(qū)動電路時,務(wù)必依托于下列的參數(shù)來實現(xiàn):元件斷開偏置的標準、柵極電荷的標準、耐固性標準和電源的情況。由于igbt模塊柵極-發(fā)射極阻抗大,故可用MOSFET驅(qū)動技術(shù)實現(xiàn)觸發(fā),不過由于igbt模塊...
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可控硅模塊元器件失控的原因
可控硅模塊元器件失控的原因
2021-04-19
可控硅模塊做為1種電子線路中常用的元器件,是很多工程師們都熟知的元器件之一。在平常的使用過程中,可控硅模塊有時候會因為一些因素失去控制,那導(dǎo)致可控硅模塊失去控制的常用因素都有哪些呢?實際上導(dǎo)致可控硅模塊失控的情形,大致上可分成3類,在今天的文章中,我們將會就可控硅模塊元器件失控的3個因素展開詳細分析。可控硅模塊元器件失控的原因:1、第1個因素,即可控硅模塊的正向阻斷力降低。在平常的使用中,一旦可控硅模塊長時間不用,而同時又因為密封不好的緣故受潮,那可控硅模塊元器件正向阻斷作用是很容易降低的,可控硅模塊元器件的正向阻斷作用降低到低于整流變壓器的2次電壓,硅元器件就不必等觸發(fā)脈沖來便會自然的導(dǎo)通,導(dǎo)致脈沖控制無法起作用,...
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igbt模塊的靜態(tài)性能原理
igbt模塊的靜態(tài)性能原理
2021-04-16
IGBT模塊是由igbt模塊(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)利用相應(yīng)的線路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體商品;封裝后的IGBT模塊直接用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具備節(jié)能、組裝檢修便捷、散熱穩(wěn)定等優(yōu)點;目前市面上出售的多為這類模塊化商品,通常所說的igbt模塊也指IGBT模塊;隨之節(jié)能環(huán)保等概念的推廣,這類商品在市面上將越來越多見;igbt模塊是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵脑ǚQ電力電子裝置的“CPU”,做為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等方面用極廣。 igbt模塊的靜態(tài)性能靜態(tài)性能主要有伏安性能、轉(zhuǎn)移性能和控制開關(guān)性能。(1...
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