
IGBT功率模塊短路故障耐受能力
IGBT功率模塊短路故障耐受能力
2021-03-31
igbt模塊短路故障耐受時(shí)長與其跨導(dǎo)或增益及igbt模塊芯片熱容量相關(guān)。更高的增益造成igbt模塊內(nèi)的短路電流更高,所以很明顯增益較低的igbt模塊具備較低的短路故障電平。但是,較高增益同樣會造成較低的通態(tài)導(dǎo)通耗損,因此需要作出衡量抉擇。1、igbt模塊工藝的發(fā)展正在促使增多短路電流電平,但降低短路故障耐受時(shí)長這一趨向。另外,工藝的進(jìn)步促使用芯片尺寸更小,2、縮小了模塊規(guī)格,但降低了熱容量,以至耐受時(shí)長進(jìn)一步縮短。3、還與igbt模塊集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系,因此工業(yè)生產(chǎn)驅(qū)動(dòng)趨于更高直流總線電壓電平的并行趨向進(jìn)一步減少了短路故障耐受時(shí)長。過去,這一時(shí)間范圍是10μs,但近幾年來的趨向是在往5μs3及某些條...
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IGBT在工業(yè)生產(chǎn)環(huán)境有哪幾個(gè)短路故障?
IGBT在工業(yè)生產(chǎn)環(huán)境有哪幾個(gè)短路故障?
2021-03-30
工業(yè)生產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整體行業(yè)發(fā)展趨勢是對更高效率及可靠性和穩(wěn)定性的標(biāo)準(zhǔn)頻頻提升。關(guān)于增多絕緣柵極雙極性晶體管(igbt模塊)導(dǎo)通耗損的一些衡量抉擇是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,及更低的熱容量和短路耐受時(shí)長。這突顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路及過電流檢測和保護(hù)作用的必要性。下列內(nèi)容講述了如今工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中順利可靠地完成短路保護(hù)的狀況,并且出示三相電機(jī)控制應(yīng)用中隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的試驗(yàn)性示例。工業(yè)生產(chǎn)環(huán)境中的短路故障哪幾個(gè)? 工業(yè)生產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的作業(yè)環(huán)境比較惡劣,也許出現(xiàn)高溫、交流電路瞬變、機(jī)械過載、接線有誤及其余突發(fā)狀況。當(dāng)中一些事件很有可能會造成過大的過流進(jìn)入電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率電路中。圖1展示了3種常見的短路故障事件。 ...
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雙向可控硅的檢測方式
雙向可控硅的檢測方式
2021-03-30
以下講述利用數(shù)字萬用表RXl檔判別雙向可控硅電極的方式,以及還檢查觸發(fā)能力。 1、判別T2極G極與T1極接近,距T2極較遠(yuǎn)。所以,G―T1中間的正、反方向電阻值都不大。在使用RXl檔測任意兩腳中間的電阻值時(shí),僅有在G-T1中間呈現(xiàn)低阻,正、反方向電阻值僅幾十歐,而T2-G、T2-T1中間的正、反方向電阻值均為無窮大。這表明,倘若測到某腳和其余兩腳都不通,就肯定是T2極。此外,使用TO―220封裝的雙向可控硅,T2極一般與小散熱板連接,由此也可以確認(rèn)T2極。2、區(qū)別G極和T1極(1)找到T2極后,首先假設(shè)余下兩腳中某一腳為Tl極,另一腳為G極。(2)把黑表筆接T1極,...
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雙向可控硅構(gòu)造原理及運(yùn)用
雙向可控硅構(gòu)造原理及運(yùn)用
2021-03-30
雙向可控硅是在普通可控硅的根本上發(fā)展而成的,它不但能替代2只反極性并聯(lián)的可控硅,且僅需1個(gè)觸發(fā)線路,是當(dāng)前較為良好的交流開關(guān)元件。 1、基本構(gòu)造原理盡管從形式上可將雙向可控硅當(dāng)做2只普通可控硅的組合,但其實(shí)它是由7只晶體管和多個(gè)電阻組成的功率集成元件。小功率雙向可控硅通常選用塑料封裝,有的還帶散熱板,外型如圖l所示。大功率雙向可控硅大多選用RD91型封裝。雙向可控硅的主要參數(shù)見附表。2、常見的使用領(lǐng)域雙向可控硅普遍用作工業(yè)、交通、電器產(chǎn)品等區(qū)域,完成交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、燈具自動(dòng)開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈變光、舞臺變光等多種作用,它還被用作固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器線路...
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igbt模塊的過熱保護(hù)方法
igbt模塊的過熱保護(hù)方法
2021-03-29
igbt模塊的損耗功率關(guān)鍵涉及開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,前面一種隨開關(guān)頻率的增高而增大,占整體損耗的主要部分;后面一種是igbt模塊控制的平均電流與電源電壓的乘積。因?yàn)閕gbt模塊是功率大的半導(dǎo)體器件,損耗功率使其發(fā)熱較多(尤其是Rg選擇偏大時(shí)),加上igbt模塊的結(jié)溫?zé)o法高于125℃,不適合長期性運(yùn)行在較高環(huán)境溫度下,所以要選用得當(dāng)?shù)纳岱桨高M(jìn)行過熱保護(hù)。 散熱通常是選用散熱器(涉及普通的散熱器與熱管散熱器),并可進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷。散熱器的架構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)符合:Tj=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm式中Tj-igbt模塊的運(yùn)行結(jié)溫P△-損耗功率Rjc-結(jié)-殼熱阻Rcs-殼-散熱器熱阻R...
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