雙向可控硅(TRIAC)

2021-07-01

普通可控硅本質上應屬直流元器件。要控制交流負載，必須將2只可控硅反極性并接，讓每只SCR控制1個半波，為此需2套獨立的觸發線路，用的倍感不方便。雙向可控硅是在普通可控硅的基礎上發展起來的，它不但能替代2只反極性并接的可控硅，且僅用一個觸發線路，是現階段較為滿意的交流開關元器件。其英文名稱TRIAC便是三端雙向交流開關的意義。即便從形式上能夠把雙向可控硅看作2只普通可控硅的組成，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻組成的功率集成元器件。 小功率雙向可控硅一般選用塑料封存裝，有的還帶小散熱極，外觀如下圖1所顯示。典型產品有BCM1AM（1A/600V）、BCM3...

了解詳情

igbt模塊串聯平衡穩壓系統設計之實驗證實

2021-06-30

按照前邊所講有源自適應電壓平衡控制策略，研發igbt模塊智能驅動板如下圖所示。igbt模塊智能驅動板實際包含有源自適應電壓平衡控制、故障保護、通訊編碼、高位取能等作用。 借助FPGA編程設計參考電壓波型，如下圖所示。預斷開時長初值為4μs，預斷開平臺幅值1.5V，主斷開時長初值為1μs，鉗位電壓幅值7V，預開通時長初值為3μs，預開通平臺幅值4V，主斷開時長初值為2μs。 對2個igbt模塊串連展開實驗測驗，實驗線路選用無源逆變電路，實際參數如下所示：直流電壓1000V，負載電流400A，igbt模塊開關頻率1050Hz。參考電壓參數：預斷開平臺時長4μs，預斷開平臺幅值1.5V，主斷開時長1μs，鉗...

了解詳情

傳承電子介紹：光控可控硅

2021-06-29

光控可控硅也稱GK型光開關管，是1種光敏元器件。1．光控可控硅的構造一般可控硅有幾個電極：控制極G、陽極A和陰極C。而光控可控硅因為其控制信號來源于光的照射，沒有必需再引出控制極，為此僅有2個電極(陽極A和陰極C)。但它的構造與普通可控硅相同，是由四層PNPN元器件組成。此主題有關圖片如下：光控可控硅的外型如圖1（a）所顯示。其線路圖形符號如圖1(b)所顯示。 光控晶閘管的外形及電路圖形符號圖從外型上看，光控可控硅亦有受光窗口，還有2條管腳和殼體，神似光電二極管。2．光控可控硅的原理此主題有關圖片如下： 當在光控可控硅的陽極添加正方向電壓，陰極添加負...

了解詳情

igbt模塊自適應平衡控制系統設計之仿真證實

2021-06-29

對于有源自適應電壓平衡控制，在BOOST線路上進行2只igbt模塊串連仿真分析。仿真條件：igbt模塊斷開電壓400V，igbt模塊通態電流180A，串連閥臂雜散電感100nH，igbt模塊開關頻率1kHz，Vref預斷開時間初值1μs，Vref主斷開時間初值1.5μs。如下圖所示，為在不提升Vref下2只igbt模塊電壓及電流波型，因為Vref預斷開及主斷開時間較長，igbt模塊預斷開時間接近1μs，斷開dv/dt為200V/μs，所以igbt模塊串聯電壓平衡度很高，但是igbt模塊斷開損耗較大，單次斷開損耗達198mJ。 如下圖所示，為在有源自適應電壓平衡控制下2只igbt模塊的Vref，從圖中能夠得出V...

了解詳情

可控硅元器件未來發展趨勢

2021-06-28

大功率可控硅（SCR）以前相當一段時間內，幾乎是可以經受高電壓和大電流的惟一半導體元器件。因此，對于SCR的弊端，人們很自然地把努力方向引到了如何使可控硅具備斷開能力這一點上，并因此而開發出了柵極可斷開可控硅GTO。 用GTO可控硅做為逆變器件獲得了比較滿意的結果，但其斷開控制容易失敗，仍較復雜，工作頻率也不是很高。而幾乎是與此同時，電力晶體管（GTR）快速發展起來，使GTO可控硅相形見綽。因此，在大量的中小容積變頻器中，GTO可控硅已基本不用。但因其工作電流大，故在大容量變頻器中仍居主要地位。按照電力電子器件的發展現狀趨勢，估計在之后幾年，電力電子器件將在下列層面獲得突破：已進到實用化的全控型元器件...

了解詳情