可控硅模塊的基本參數

2021-07-09

1．額定通態平均電流量額定通態平均電流量厶指的是可控硅MM3Z6V2T1G導通時所容許通過的最大交流正弦電流量的有效值。應當選用用厶高于線路運行電流量的可控硅。 2．正反向阻斷峰值電壓正方向阻斷峰值電壓UD。M指的是可控硅正方向阻斷時所容許重復施加的正方向電壓的峰值。反方向峰值電壓URRM指的是容許重復加在可控硅兩端的反方向電壓的峰值。線路施加在可控硅上的電壓必須低于UDRM與URRM，并留有一定余量，以免造成擊穿毀壞。3．維持電流量維持電流量矗指的是保持可控硅導通所需要的最小正方向電流量。當通過可控硅的電流量低于h時，可控硅將退出導通情況而阻斷。4．控制極觸發電壓和電流 ...

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可控硅的伏安特性是指什么

2021-07-08

可控硅的伏安特性曲線指的是可控硅陽極電流量IA、陽極與陰極間電壓UAK及控制極電流量Ic間的相互關系。 1）正方向特性當可控硅（可控硅）的陽極和陰極間添加正方向電壓，而控制極不添加電壓時，可控硅的Jl、J3結處在正方向偏置，J2結處在反方向偏置，可控硅只有通過較小的正方向漏電流，即特性曲線的OA段，稱作正方向阻斷情況。當陽極電壓持續提升到圖中的UBO值時，J2結被反方向擊穿，陽極電流量驟然升高，特性曲線忽然由A點跳至B點，可控硅進到導通情況，這是1種不正常情況。常規運行時，不允許正方向電壓到達轉折電壓，避免可控硅喪失可控功能。可控硅導通之后電流量極大而管壓降只有1V左右，這時的伏安特性與二極管的正方向...

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igbt功率模塊斷開時間toff的定義

2021-07-07

1、斷開時間toff同開通時間ton相同，斷開時間toff也能夠分成2段：斷開延遲時間td（off），和下降時間tf。當柵極和發射極間的正方向電壓被突然撤消并同時被添加1個負壓后，VCE便開始下跌。下跌過程的時間常數依然由輸入電容CGE和柵極驅動電路的電阻所決定。此外，VCE開始上升。但只要是VCE低于VCC，則續流二極管處在截止情況且無法接續電流。因此 ，igbt模塊的集電極電流IC在這段時間并沒有明顯的下跌。因此，從柵極—發射極電壓VCE降落到其開通值的90%開始，直至集電極電流下跌至負載電流的90%為止；這段時間被定義為斷開延遲時間td（off）。一經上升的igbt模塊的集電極—發射極電壓超出電...

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萬用表判別可斷開可控硅模塊

2021-07-06

下邊分別講解使用數字萬用表判別GTO電極、檢測GTO的促發功能和斷開功能、估算斷開增益βoff的辦法。 1．判別GTO的電極將數字萬用表撥至R×1檔，測量隨機兩腳間的電阻值，僅當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻值呈低阻值，對其余狀況電阻值均為無窮大。從而可快速判別G、K極，剩下的便是A極。2．檢測促發功能如圖2(a)所顯示，第一步將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻值為無窮大；之后用黑表筆尖也同時接觸G極，添加正方向促發信號，表針往右邊偏轉到低阻值即反映GTO己經導通；最終脫開G極，只要GTO保持導通狀態，就反映被測管具備促發功能。3．檢測關斷功能現選用雙表法檢測GTO的...

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igbt開關時間定義

2021-07-06

1、導通時長ton導通時長能夠分成2個部分：導通延遲時間td（on）與上升時間tr，在此時長內igbt模塊主要運行在主動區域。當柵極和發射極之向被添加1個階躍式的正方向驅動電壓后，便對CGE開始充電，VGE開始提升，提升過程的時間常數由CGE和柵極驅動網路的電阻所決定，一經VGE到達開啟電壓VGE（th）后，集電極電流IC則開始提升。從VGE提升至VGE（th）開始，到IC提升至負載電流IL的10%截止，這段時間被定義為導通延遲時間td（on）。之后，集電極電流IC持續上漲，到IC提升至負載電流IL的90%的時候，這段時間稱作上升時間tr。導通延遲時間td（on）與上升時間tr之...

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