可斷開可控硅(GTO)

2021-07-05

可斷開可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控可控硅。其主要特點為，當門極加負向促發信號時可控硅能自行斷開。 前已述及，普通可控硅（SCR）靠門極正信號促發以后，撤走信號亦能保持導通狀態。欲使之斷開，務必斷開電源，使正方向電流低過保持電流IH，或施加反方向電壓強近斷開。這就要增加換向線路，不光使設備的體積重量增加，同時會減低效率，造成波形失真和噪聲。可關斷可控硅解決了以上所述缺點，它既保留了普通可控硅耐壓高、電流大等優勢，以具備自斷開功能，使用便捷，是理想的高壓、大電流開關元器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），僅是工作頻紡比GTR低。現階段，GTO已到達3000A、450...

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全面解析igbt功率模塊開關過程

2021-07-05

igbt功率模塊的開關過程主要是由柵極電壓VGE操縱的，因為柵極和發射極間存有著寄生電容艮，所以igbt模塊的導通與斷開就等同于對CGE完成充電與放電。假定igbt模塊初始狀態為斷開模式，即VGE為負壓VGC-，后級輸出為阻感性負載，含帶續流二極管。因為寄生參數和負載特點的干擾，igbt模塊的真實導通與斷開過程相對復雜，如圖1為igbt模塊的導通斷開過程示意圖，圖內柵極驅動波型比較理想化，集電極電流和集電極-發射極電壓的波型大致上是實際波型，僅有小細節被理想化。 圖1igbt模塊開關時間示意圖表1中列舉了igbt模塊開關時間的定義，之后是對igbt模塊開關每個階段的具體講述。導通時長...

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什么是IGBT?

2021-07-02

igbt全稱作絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極結型晶體三極管和絕緣柵型場效應管，也稱金屬氧化物半導體場效應管)構成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體元器件，其具備自斷開的特性。優勢是可以使用電壓控制，耐壓高，飽和壓降小，轉換速度快，環保節能等優勢。 雙面冷卻散熱優勢某些小尺寸高功率的組件無法使用傳統的單面冷卻構造符合其散熱要求，近些年對功率模塊雙面冷卻構造的探究也愈來愈多。和單面構造散熱構造對比，雙面冷卻構造在功率芯片的兩邊均焊接有絕緣導熱基板，功率端子全部與絕緣導熱基板相接，絕緣導熱基板的外邊安裝有散熱器。這樣的構造的優勢是可以減少功率模塊的熱阻，與此同時可以減少容積及品質，并且因為構造的改進導致可靠性也獲...

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用萬用表判別可控硅模塊的電極辦法

2021-07-02

下邊講解使用數字萬用表R×1檔判別雙向可控硅電極的辦法，并且還檢測觸發能力。 1．判別T2極由圖2(a)看得出，G極與T1極靠近，距T2極較遠。所以，G-T1間的正、反方向電阻都較小。在使用R×1檔測任意兩腳間的電阻時，唯有G-T1間展現低阻，正、反方向電阻僅幾十歐。而T2-G、T2-T1間的正、反方向電阻均為無窮大。這表明，如果測出某腳和其它兩腳都不通，就肯定是T2極。此外，選用TO-220封裝的雙向可控硅，T2極一般與小散熱板連接。由此也可以確定T2極。2．分辨G極和T1極（1）找出T2極后，最先假設剩下兩腳中某一腳為T1極，另一腳為G極。（2）把黑表筆接T1極，紅表筆接T...

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igbt模塊封裝構造

2021-07-01

igbt模塊的封裝構造具體由igbt模塊芯片，DBC導熱基板，封裝材質，電連接端子等構成，芯片具體為Si，SiC，GaN等，DBC覆銅陶瓷導熱基板的陶瓷材料具體有Si3N4，AL2O3，ALN等。igbt模塊主要用途從功能性上來看，igbt模塊是一個可以使用計算機控制的線路開關，被普遍應用在了高鐵、軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源設備等行業使用極廣。 散熱現象干擾產品功能隨著功率電子元器件正方向高密度化，大功率，小型化發展，大規模使用電子元器件給我們的生活提供便利的與此同時，愈來愈高功率導致電子元器件的散熱現象越來越嚴重。所以散熱是一項十分重要的技術，散熱功能的優劣直接干擾著產品...

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