igbt模塊有源自適應(yīng)電壓平衡控制方法

2021-06-28

igbt模塊開(kāi)關(guān)環(huán)節(jié)中的延遲時(shí)間td及電壓變化率dv/dt，如公式（1）（2）所顯示 當(dāng)中：CGE為igbt模塊柵射極電容；CGC為igbt模塊集射極電容；VGE(th)為柵極閾值電壓；IC為集電極電流；Gm為元器件的跨導(dǎo)；RG為柵極電阻；Lg為電路總雜散電感；RL為電路負(fù)載等效電阻。利用調(diào)整igbt模塊柵極電壓，能夠有效地控制igbt模塊開(kāi)關(guān)環(huán)節(jié)中的時(shí)間延遲td及電壓變化率dv/dt，達(dá)到igbt模塊串聯(lián)電壓平衡。有文獻(xiàn)提出的有源電壓控制，利用閉環(huán)控制讓igbt模塊集射極電壓VCE迅速追隨參照電壓Vref。當(dāng)igbt模塊端電壓高過(guò)給出電壓時(shí)，形成正門(mén)極電壓信號(hào)導(dǎo)通igbt模塊;當(dāng)igbt模塊端電壓低于...

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什么是門(mén)極斷開(kāi)(GTO)可控硅

2021-06-25

可斷開(kāi)可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱柵控可控硅。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)柵極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)可控硅能自行斷開(kāi)。普通可控硅（SCR）靠柵極正信號(hào)觸發(fā)后，撤下信號(hào)亦能保持通態(tài)。欲使之?dāng)嚅_(kāi)，必須斷開(kāi)電源，使正方向電流小于保持電流IH，或施加反方向電壓強(qiáng)近斷開(kāi)。 這就必須增加換向線路，不但使設(shè)施的體積重量增加，并且會(huì)降低效率，造成波形失真和噪聲。可斷開(kāi)可控硅克服了上述弊端，它既保存了普通可控硅耐壓高、電流大等優(yōu)勢(shì)，以具備自斷開(kāi)能力，操作方便，是比較完美的高壓、大電流開(kāi)關(guān)元器件。GTO的容積及使用期限均超出巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。現(xiàn)在，GTO已到達(dá)4500A、600...

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逆導(dǎo)晶閘管的檢測(cè)

2021-06-25

借助數(shù)字萬(wàn)用表和兆歐表能夠檢測(cè)逆導(dǎo)晶閘管模塊的優(yōu)劣。檢測(cè)內(nèi)容具體分3項(xiàng)：1.檢測(cè)逆導(dǎo)性選用數(shù)字萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接K極，紅表筆接A極(參照?qǐng)D3(a))，電阻值應(yīng)當(dāng)為5～10Ω。若阻值為零，說(shuō)明內(nèi)部二極管短路;電阻為無(wú)窮大，說(shuō)明二極管開(kāi)路。2.檢測(cè)正方向直流轉(zhuǎn)折電壓V(BO)依照(b)圖接好線路，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表，使RCT正方向擊穿，由直流電壓表中讀取V(BO)值。3.檢測(cè)觸發(fā)能力實(shí)例：用500型數(shù)字萬(wàn)用表和ZC25-3型兆歐表檢測(cè)1只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管模塊。先后選用R×1k、R×100、R×10和R×1檔檢測(cè)A-K極間反方向電阻，同時(shí)用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)?..

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逆導(dǎo)可控硅（RCT）特性解析

2021-06-24

逆導(dǎo)可控硅RCT(Reverse-ConducTIngThyrisTIr)亦稱反向?qū)煽毓琛Ｆ涮卣魇窃诳煽毓璧年?yáng)極與陰極中間反方向并聯(lián)1只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路模式。因?yàn)檫@個(gè)特殊線路構(gòu)造，使之具備耐高壓、耐高溫、斷開(kāi)時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)異特性。比如，逆導(dǎo)可控硅的斷開(kāi)時(shí)間僅幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，好于快速可控硅(FSCR)。該元器件適用開(kāi)關(guān)電源、UPS不間斷電源中，1只RCT就可以取代可控硅和續(xù)流二極管各1只，不但使用便捷，并且能簡(jiǎn)化線路設(shè)計(jì)。 逆導(dǎo)可控硅的符號(hào)、等效電路如下圖1(a)、(b)所顯示。其伏安特性見(jiàn)圖2。由圖可見(jiàn)，逆導(dǎo)可控硅的伏安特性具備不對(duì)稱性，正方向特性與普通可控硅...

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igbt模塊串聯(lián)電壓不平衡分析

2021-06-24

igbt模塊串聯(lián)電壓不平衡可分為靜態(tài)電壓不平衡及動(dòng)態(tài)電壓不平衡，而因?yàn)閕gbt模塊開(kāi)關(guān)速率較快，所以動(dòng)態(tài)電壓不平衡是igbt模塊串連必須克服的主要難題，與此同時(shí)與igbt模塊反并接的續(xù)流二極管的電壓平衡控制也是串連必須考量的主要難題。造成 igbt模塊串聯(lián)電壓不平衡要素主要可分為下列五種： （1）igbt模塊漏電流不一致igbt模塊漏電流的差異化將造成 igbt模塊斷態(tài)阻抗的不一致，而igbt模塊關(guān)斷后，因?yàn)榇B元器件中流經(jīng)的漏電流是同樣的，所以不一樣的斷態(tài)阻抗會(huì)造成 igbt模塊的靜態(tài)電壓不均衡，元器件的結(jié)溫同樣會(huì)干擾靜態(tài)均壓。（2）驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的不一致和驅(qū)動(dòng)線路參數(shù)的差別驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的不一致和驅(qū)動(dòng)...

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