可控硅模塊檢測時的注意事項

2021-07-22

（1）在檢測大功率GTO元器件時，提議在R×1檔外部串接一節1.5V電池E′，以增強檢測電壓和檢測電流，使GTO可靠地導通。（2）要精確測量GTO的關斷增益βoff，需要有專用測試設備。但在業余條件下可以用以上辦法完成估測。鑒于檢測條件不一樣，測量結果僅作參考，或做為相對比較的依據。 逆導可控硅RCT(Reverse-ConducTI社區">TIngThyrisTI社區">TIr)亦稱反向導通可控硅。其特性是在可控硅的陽極與陰極間反方向并接1只二極管，使陽極與陰極的發射結均呈短路模式。鑒于這種特殊線路構造，使之具備耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。比如，逆導可控硅的...

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igbt串聯諧振式電壓型逆變運行環節

2021-07-21

當VT2開通時，伴隨著電流的升高，在線路雜散電感Lm的影響下，促使Uab降低到Vcc－Ldi／dt，此時前一運作周期以被充電到Vcc的緩沖電容C1，利用VT1的反并接二極管VD1、VT2和緩沖電阻R2放電。在緩沖線路中，流過反并接二極管VD1的瞬時導通電流ID1為流過線路雜散電感電流IL和流過緩沖電容C1的電流IC之和。即ID1＝IL＋IC，所以IL和di／dt相比于無緩沖線路要小得多。當VT1斷開時，因為線路雜散電感Lm的影響，使Uce迅速升高，并高于母線電壓Vcc，此時緩沖二極管VD1正方向偏置，Lm中的儲能（LmI2／2）向緩沖線路轉移，緩沖線路吸收了貯能，不會導致Uce的明顯升高。因為...

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可控硅用數字萬用表判別好壞

2021-07-21

下邊分別講解利用數字萬用表判別GTO電極、檢測GTO的觸發能力和斷開能力、估算斷開增益值βoff的辦法。1．判別GTO的電極將數字萬用表撥至R×1檔，檢測任意兩腳間的電阻值，僅當黑電筆接G極，紅電筆接K極時，電阻值呈低阻值，對其余情況電阻值均為無窮大。因此可快速判別G、K極，剩下的便是A極。2．檢測觸發能力先將表Ⅰ的黑電筆接A極，紅電筆接K極，電阻值為無窮大；之后用黑表筆尖也同時接觸G極，添加正方向觸發信號，指針往右邊偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；最后松掉G極，只要GTO保持通態，就表明被測管具備觸發能力。3．檢測關斷能力現選用雙表法檢測GTO的關斷能力，表Ⅰ的檔位及接法維持不變。...

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igbt功率模塊串聯諧振式電壓型逆變器的原理

2021-07-20

倘若igbt模塊柵極與發射極間的電壓，即驅動電壓過低，則igbt模塊無法穩定正常地運行，倘若過高超出柵極-發射極間的耐壓則igbt模塊可能永久性毀壞;同樣，倘若加在igbt模塊集電極與發射極容許的電壓超出集電極-發射極間的耐壓，流過igbt模塊集電極-發射極的電流超出集電極-發射極容許的最大電流，igbt模塊的結溫超出其結溫的允許值，igbt模塊都可能會永久性毀壞。絕緣柵極雙極型晶體管（igbt模塊）igbt模塊串聯諧振式電壓型逆變器的原理該電源選用半橋構造串聯諧振逆變電路，主電路原理如圖。在大功率igbt模塊諧振式逆變電路中，主線路的構造對整個產品的性能非常關鍵，因為線路中存在引線寄生電感，igbt模塊開關...

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可控硅模塊的內部結構運行原理

2021-07-19

式（1—1）中，在可控硅導通后，1-（a1+a2）≈0,即便這時門極電流Ig=0,可控硅仍能維持原先的陽極電流Ia而繼續導通。可控硅在導通后，門極已失去作用。在可控硅導通后，倘若持續的減少電源電壓或增加回路電阻，使陽極電流Ia減少到維持電流IH之下時，因為a1和a1快速下降，當1-（a1+a2）≈0時，可控硅恢復阻斷情況。可斷開可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控可控硅。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時可控硅能自動斷開。前已述及，普通可控硅（SCR）靠門極正信號觸發以后，撤除信號亦能保持通態。欲使之斷開，必需斷開電源，使正方向電流低過保持電流IH，或施加反方向電壓強近斷開。這...

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