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（1）在檢測(cè)大功率GTO元器件時(shí)，提議在R×1檔外部串接一節(jié)1.5V電池E′，以增強(qiáng)檢測(cè)電壓和檢測(cè)電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。

（2）要精確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，需要有專用測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可以用以上辦法完成估測(cè)。鑒于檢測(cè)條件不一樣，測(cè)量結(jié)果僅作參考，或做為相對(duì)比較的依據(jù)。
逆導(dǎo)可控硅RCT(Reverse-ConducTI社區(qū)">TIngThyrisTI社區(qū)">TIr)亦稱反向?qū)煽毓琛?br />
其特性是在可控硅的陽(yáng)極與陰極間反方向并接1只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路模式。鑒于這種特殊線路構(gòu)造，使之具備耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。

比如，逆導(dǎo)可控硅的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，強(qiáng)于快速可控硅（FSCR）。該元器件適用開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，1只RCT就可以替代可控硅和續(xù)流二極管各1只，不但使用便捷，同時(shí)能簡(jiǎn)易化電路設(shè)計(jì)。

逆導(dǎo)可控硅的伏安特性具備不對(duì)稱性，正方向特性與普通可控硅SCR一致，而反方向特性與硅整流管的正方向特性一致（僅坐標(biāo)位置不一樣）。

逆導(dǎo)可控硅的典型產(chǎn)品有美國(guó)無(wú)線電公司（RCA）生產(chǎn)的S3900MF。它選用TO-220封裝，3個(gè)引出端分別是門極G、陽(yáng)極A、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下：

斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM：＞750V

通態(tài)平均電流IT（AV）：5A

最大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）

最大反向?qū)妷篤TR：＜0.8V

最大門極觸發(fā)電壓VGT:4V

最大門極觸發(fā)電流IGT:40mA

關(guān)斷時(shí)間toff:2.4μs

通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs

通態(tài)浪涌電流ITSM:80A

以上就是傳承電子對(duì)可控硅模塊檢測(cè)時(shí)的注意事項(xiàng)的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。