變流器的核心元器件igbt功率模塊

2021-10-13

某些用igbt模塊作為主功率器件的變流器，igbt模塊的輸出直接與外部負載連接，比如驅動電機調速的變頻器，司服系統等。一旦負載短路，便會導致igbt模塊極其嚴重的過流，這時igbt模塊會有多大的電流呢？大概是igbt模塊額定電流的幾倍到十幾倍，過流的嚴重程度與igbt模塊的柵驅動電壓有關，即，當igbt模塊的驅動電壓在14V之下時，其短路電流就較小，約是其額定電流的幾倍；當igbt模塊的驅動電壓在16V之上時，其短路電流就極大，約是其額定電流的十幾倍，很明顯，這么大的短路電流，對igbt模塊極具破壞性。即便，igbt模塊稱為有10微秒的抗短路水平，十幾倍的額定電流也是難以承擔的，我的經驗是，最多只有承擔1次，第2次就玩完。所...

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上橋臂電流檢測中的專用放大器對可控硅誤差分析

2021-10-12

電阻不匹配對測量精度的影響假定使用電阻完美匹配，借助方程式1可以算出輸出電壓。不幸地是，真實情況并不是這樣，這是因為電阻本身也是有自己的精密度。用下方的公式可以算出因電阻不匹配而導致的增益誤差：V0=（（Isense*Rshunt）/R1）。（R4/R3）。（R1+R2+R3）。［1+（（2R1+4R2+2R3）/（R1+R2+R3））。εα+εRshunt］。..。..（3）?當中εα是電阻的準確度，εRshunt是分流器的準確度。從方程式3可以看出，R2電阻對誤差的影響最大，因此 該電阻器務必選用阻值盡量小（10kΩ）的電阻。特別注意，R1和R3的阻值之和應當高且均衡，唯有如此方能獲得理想...

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變流器的核心元器件MOSFET和igbt

2021-10-09

MOSFET和igbt模塊是現階段變流器中使用最普遍，最重要的兩類核心元器件。MOSFET主要是使用在低壓和中壓（中小功率），igbt模塊主要是使用在高壓和中壓（大功率）領域。對于MOSFET已有很多方面的精辟的論述，在這里不再重復，只對個別問題作點補充說明。igbt模塊的探討還較少，所以，是本篇文章的主要是探討對象。首先來說MOSFET提1個基礎性問題：驅動MOSFET導通的最合適柵電壓多少伏？很多人的回答是：15V。這一答案無法說錯，但，這活干得太粗。MOSFET的導通電阻是隨柵電壓的提升而下滑，當柵電壓到達一定值時，導通電阻就幾乎不會再降低了，暫且稱作“多方面導通”，通常認為這一電壓是小...

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可控硅模塊四臂電橋（全橋）的靜態位移性能

2021-10-08

實驗內容：可控硅金屬箔式應變片四臂電橋（全橋）的靜態位移性能1、依據圖１的線路構造，將四片應變片與電橋平衡網絡、差動放大器、電壓表、直流穩壓電源連接起來，構成1個測定線路（這時直流穩壓電源應放置0伏檔、電壓表應放置20伏檔）。這時四片應變片構成全橋。 圖１2、旋轉測微器，將平行梁上中心的磁鐵與測微頭相吸（必要時松掉測微器的固定螺釘，使之完全可靠吸附后，再扭緊固定螺釘），并使平行梁處在（目測）水平地方，再往上位移5mm，使梁的自由端往上形成位移。3、將直流穩壓電源輸出放置4伏檔，調整電橋平衡電位器W1，使電壓表提示為零，平穩數分鐘后，將電壓表量程放置2伏檔后，再仔細調零。4、向下旋動測微...

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數字化igbt功率模塊驅動級檢測

2021-09-30

為初步確認驅動級基礎功能的正確性和可行性，使用圖8樣品板進行檢測，檢測樣品為3300V-1500AIGBT模塊，使用通用型雙脈沖測試方法，檢測波型如下圖9。驅動板能夠在檢測條件下安全的開通和斷開igbt模塊。改進方向 數字型igbt模塊驅動器在過壓保護監測上使用的TVS管串連的方式，只能夠對igbt模塊元器件斷開中di/dt形成的寄生過壓有較好的效果，但這個方法也存有缺陷，倘若客戶對過壓保護的閾值設定不合理，及系統在運行中會發生較多的過壓，或較長時間過壓，這時igbt模塊元器件會發生柵極被高壓毀壞，或本應斷開的igbt模塊被動強行開通，發生上下管短路的情況，毀壞上下管igbt模塊。因此 能夠加入Vce...

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