igbt的工作原理是什么?

2021-10-27

igbt的等效線路如下圖1所顯示。由圖1可知,若在igbt的柵極和發射極間添加驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極間成低阻狀態而促使晶體管導通;若igbt的柵極和發射極間電壓為0V,則MOSFET斷開,切斷PNP晶體管基極電流的供應,促使晶體管斷開。 由此可知,igbt的安全可靠是否主要由下列因素確定：1、igbt柵極與發射極間的電壓;2、igbt集電極與發射極間的電壓;3、流經igbt集電極－發射極的電流;4、igbt的結溫。倘若igbt柵極與發射極間的電壓,即驅動電壓過低,則igbt無法穩定正常地運行,倘若過高超出柵極－發射極間的耐壓則igbt將會...

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熱敏可控硅模塊溫度報警電路圖

2021-10-26

熱敏可控硅模塊又叫可控硅模塊溫度開關器,它是1種PNPN結,是由3個PN結串接而成的三端半導體器件。它有3個電極,即陽極、陰極和門極,線路圖形符號如下圖285a、b所顯示,文字符號用VTT表達。熱敏可控硅模塊的構造特性與普通可控硅模塊(VTH)大致相同。只是VTT用離子注入法使其構造對溫度非常敏感,可使元器件由正方向阻斷模式向導通模式的轉變完成溫度控制作用,即溫度觸發,當溫度上升時,ⅥT'內形成很多的電子空穴對,被PN結搜集,這就等同于在門極G觸發狀況下的柵加入一樣,會轉變熱敏可控硅模塊的開關電壓值,且在不同溫度下開關電壓值不同。圖c中安裝了3個熱敏可控硅模塊VTT,各自置于3個監視點。當某一條路中的溫度到達了熱敏可...

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igbt功率模塊內部電阻參數

2021-10-25

igbt模塊晶體管是集GTR與MOSFET兩者優勢于一體的復合元器件，它不僅有MOSFET的輸入阻抗高、速度更快、開關損耗小、驅動線路簡單、規定驅動功率小、極限工作溫度高、易驅動的特性，又具備功率晶體管GTR的通態電壓低、耐壓高和電流容量大的優勢，為電壓控制通斷的自斷開元器件，其頻率特性處于MOSFET與功率晶體管間，可常規運行于數十kHz頻率范圍內，功率元器件igbt模塊正日益普遍地運用于體型小、噪音低、特性高的變頻電源及大功率的交流伺服電機的調速系統中，在較高頻率的大、中功率運用中占據了主導地位，并已開始在上述行業中替代功率雙極性晶體管GTR和功率場效應管MOSFET中。與GTR和MOSFET一致，igbt模塊運用的關鍵...

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晶閘管模塊為何其有“以小控大”的可控性呢？

2021-10-22

第一，我們可以把從陰極往上數的第一、二、三層看面是1只NPN型號晶體管，而二、三四層構成另一只PNP型晶體管。當中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極間添加1個正方向電壓Ea，又在控制極G和陰極C間（相當于BG1 的基一射間）輸入1個正的觸發信號，BG1 將形成基極電流Ib1 ，經擴大，BG1 將有個放大了β1 倍的集電極電流IC1 。因為BG1 集電極與BG2 基極相接，IC1 也是BG2 的基極電流Ib2。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）擴大了β2的集電極電流IC2 送回BG1 的基極擴大。這般循環擴大，直至BG1 、BG2 徹底導通。實際這個過程是“一觸即發”的過程，對晶閘管模塊而言，觸發信號添加控制極，晶閘管...

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igbt的內部電壓參數

2021-10-21

隨之半導體元器件制作技術的不斷完善和制造技術的提升，半導體功率元器件正向著大電流、高電壓、快通斷、功能損耗小、易保護、模塊化方向發展，現在已經出現了雙極性晶體管GTR、功率場效應管MOSFET、功率絕緣柵控雙極性晶體管igbt模塊。功率igbt模塊是電壓驅動元器件，具備一個(3～6)V的閾值電壓，有個很大的容性輸入阻抗，對柵極電荷十分敏感，故驅動線路一定很可靠，igbt模塊開關特性和安全工作區隨之柵極驅動線路特性的變化而變化，驅動線路特性直接確定igbt模塊能否常規運行，igbt模塊常選用柵極驅動，與其它自斷開元器件一致，igbt模塊對驅動線路也是有一些特別要求。極驅動電壓UGE。在igbt模塊開通時，脈沖前沿很陡的...

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