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igbt的工作原理是什么?
2021-10-27
igbt的等效線路如下圖1所顯示。由圖1可知,若在igbt的柵極和發射極間添加驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極間成低阻狀態而促使晶體管導通;若igbt的柵極和發射極間電壓為0V,則MOSFET斷開,切斷PNP晶體管基極電流的供應,促使晶體管斷開。
由此可知,igbt的安全可靠是否主要由下列因素確定:
1、igbt柵極與發射極間的電壓;
2、igbt集電極與發射極間的電壓;
3、流經igbt集電極-發射極的電流;
4、igbt的結溫。
倘若igbt柵極與發射極間的電壓,即驅動電壓過低,則igbt無法穩定正常地運行,倘若過高超出柵極-發射極間的耐壓則igbt將會永久性毀壞;同時,倘若添加在igbt集電極與發射極容許的電壓超出集電極-發射極間的耐壓,流經igbt集電極-發射極的電流超出集電極-發射極容許的最大電流,igbt的結溫超出其結溫的允許值,igbt都將會會永久性毀壞。
絕緣柵極雙極型晶體管(igbt)
以上就是傳承電子對igbt的工作原理是什么的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

1、igbt柵極與發射極間的電壓;
2、igbt集電極與發射極間的電壓;
3、流經igbt集電極-發射極的電流;
4、igbt的結溫。
倘若igbt柵極與發射極間的電壓,即驅動電壓過低,則igbt無法穩定正常地運行,倘若過高超出柵極-發射極間的耐壓則igbt將會永久性毀壞;同時,倘若添加在igbt集電極與發射極容許的電壓超出集電極-發射極間的耐壓,流經igbt集電極-發射極的電流超出集電極-發射極容許的最大電流,igbt的結溫超出其結溫的允許值,igbt都將會會永久性毀壞。
絕緣柵極雙極型晶體管(igbt)

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