逆導可控硅(RCT)是什么？

2021-10-28

逆導可控硅模塊的符號、等效線路如下圖1(a)、(b)所顯示。其伏安特性見圖2。由圖顯見，逆導可控硅模塊的伏安特性具備不對稱性，正方向特性與普通可控硅模塊SCR相同，而反方向特性與硅整流管的正方向特性相同（僅坐標位置不同）。

逆導可控硅模塊的典型產品外型見圖1(c)。它選用TO-220封裝，3個引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。

逆導可控硅模塊的基本參數如下所示：

斷態重復峰值電壓VDRM：＞750V

通態平均電流IT（AV）：5A

最大的通態電壓VT：3V（IT=30A）

最大的反向導通電壓VTR：＜0.8V

最大的門極觸發電壓VGT:4V

最大的門極觸發電流IGT:40mA

斷開時間toff:2.4μs

通態電壓臨界上升率du/dt:120V/μs

通態浪涌電流ITSM:80A

以上就是傳承電子介紹什么是逆導可控硅(RCT)，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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