從可控硅模塊的內部解析運行過程

2021-10-20

可控硅模塊是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結圖1，能夠把它中間的NP分為兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復合管圖2。當可控硅模塊承擔正方向陽極電壓時，為使可控硅模塊導銅，務必使承擔反方向電壓的PN結J2喪失阻擋功能。圖2中每一個晶體管的集電極電流同時便是另1個晶體管的基極電流。所以，2個互相復合的晶體管線路，當有一定的門機電流Ig注入時，便會出現強烈的正反饋，導致兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相對為Ic1和Ic2；發射極電流相對為Ia和Ik；電流放大系數相對為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流經J2結的反相漏電電流為Ic0,可控硅...

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IGBT功率模塊器件的并接應用

2021-10-19

要達到功率器件的并接應用，應滿足2個情況：1、并接應用功率器件的一致性好（要使用同一批次的）2、其導通電阻或飽和壓降為正溫度系數MOSFET的導通電阻值全是正溫度系數的，極易完成并接使用igbt模塊則不是，有的igbt模塊飽和壓降是負溫度系數的，有的igbt模塊飽和壓降是正溫度系數的。負溫度系數飽和壓降的igbt模塊并接使用難以均流，因此 ，不適合并接使用。正溫度系數飽和壓降的igbt模塊是能夠 并接使用的，并且可以實現不錯的均流效果。 比如，INFINEON的FF450R17ME3，如圖所示是其飽和壓降的溫度特征，當集電極電流高于100A時，飽和壓降有良好的正溫度系數...

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可控硅的原理

2021-10-18

在中頻爐中整流側斷開時選用KP-60微秒之內，逆變側關短時間選用KK-30微秒之內這也是KP管與KK管的主要區別:可控硅模塊T在運行過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載相連，組成可控硅模塊的主線路，可控硅模塊的門極G和陰極K與控制可控硅模塊的設備相連，組成可控硅模塊的控制線路。 可控硅模塊的運行條件：1.可控硅模塊承擔反方向陽極電壓時，不管門極承擔和種電壓，可控硅模塊都處于關短狀態。2.可控硅模塊承擔正方向陽極電壓時，僅在門極承擔正方向電壓的狀況下可控硅模塊才導通。3.可控硅模塊在導通狀況下，只需有一定的正方向陽極電壓，無論門極電壓怎樣，可控硅模塊維持導通，即可控硅模塊導通后，門極喪...

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IGBT的使用期限

2021-10-15

1:功率循環使用期限：外殼溫度變動極小但結溫變動頻繁時的工作模式下的使用期限2:熱循環使用期限：系統從開啟到終止期內溫度相應緩慢變動的工作模式下的使用期限如下圖所示是功率模塊的典型構造 當功率模塊結溫變動時,因為膨脹系數的差異，在鋁線和硅片間、硅片和絕緣基片間將形成應力應變，倘若應力總是反復，結合部的熱疲勞將造成 產品失效。如下圖 在功率模塊殼溫變動相應緩慢而變化幅度大的工作模式下，因為絕緣基板和銅底板的膨脹系數差異，絕緣基板和銅底板中間的焊錫層將形成應力應變。倘若應力總是反復,焊錫層將形成裂紋。倘若裂紋擴張到硅片的下邊，熱阻增大將造成 熱失控；或熱阻提升造成DTj提升造成 功...

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雙向可控硅模塊的測試

2021-10-14

一只良好的可控硅模塊，其陽極A與陰極K間應是高電阻值，所以，當數字萬用表試A－K間的電阻時，亦無論電表怎樣接都應是高電阻值。而G－K間的逆向電阻比順向電阻越大，表明可控硅模塊特性良好。雙向晶閘管的測試。用數字萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩電筆各自測任意兩管腳間正反向電阻，結果當中2組讀值為無窮大。若1組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩管腳為第1陽極A1和控制極G，另一個空腳即是第2陽極A2。明確A1、G極后，再認真檢測A1、G極間正、反方向電阻，讀值相對較小的那次檢測的黑電筆所接的管腳為第1陽極A1，紅電筆所接引腳為控制極G。將黑電筆接已明確的第2陽極A2，紅電筆接第1陽極A1，這時數字萬用表指針不會出現偏移，電...

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