可控硅的反方向特性伏安特性

2021-11-16

可控硅的伏安特性可控硅陽極A與陰極K間的電壓與可控硅陽極電流間關(guān)系稱作可控硅伏安特性,如下圖2所所顯示。正方向特性處在第一象限,反方向特性處在第三象限。 圖2可控硅伏安特性參數(shù)示意圖(1)反方向特性當(dāng)門極G開路,陽極添加反方向電壓時(見圖3),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時僅能經(jīng)過非常小的反方向飽和電流,當(dāng)電壓進(jìn)一步提升到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,并且J3結(jié)也擊穿,電流快速增多,如下圖2的特性曲線OR段逐漸彎曲,彎曲處的電壓URO稱之為“反方向轉(zhuǎn)折電壓”。之后,可控硅會出現(xiàn)永久性反方向擊穿。 圖3陽極加反方向電壓 圖4陽極加正方向電壓以上就是...

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IGBT智能化驅(qū)動板SCALE的主要工作模式

2021-11-15

1、直接模式在直接模式下，各線路igbt模塊將自主地運(yùn)行。該模式可用作已形成死區(qū)時間的PWM信號的驅(qū)動，也可用作自主運(yùn)行的各線路igbt模塊。將MOD輸人與Ｖ相連接，RC１和RC２接地，便是直接模式。在直接模式下，狀態(tài)輸出SO1和SO2各自返回，所以當(dāng)發(fā)生故障時，能夠便捷地決定故障發(fā)生在哪一路。2、半橋模式根據(jù)與RC１和RC２相連接的RC網(wǎng)絡(luò)可取得數(shù)百納秒的死區(qū)時間。當(dāng)輸人端Ｂ為低電平時，兩條線路igbt模塊都被斷開。將MOD輸人接地便是半橋模式，輸人IA為PWM輸人，TB為使能輸人。在VL/R輸人端接上４．７Ｖ齊納二極管可使輸人端IA和TB設(shè)定在T...

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可控硅模塊的運(yùn)行要求

2021-11-12

因為可控硅模塊僅有導(dǎo)通和斷開兩種工作狀態(tài),所以它具有開關(guān)特性,這種特性需要一定的要求才能轉(zhuǎn)化,此要求見表1。 表1可控硅模塊導(dǎo)通和斷開要求(1)可控硅模塊承擔(dān)反方向陽極電壓時,不管門極承擔(dān)怎樣電壓,可控硅模塊都處在斷開模式。(2)可控硅模塊承擔(dān)正方向陽極電壓時,僅在門極承擔(dān)正方向電壓的情況下可控硅模塊才導(dǎo)通。(3)可控硅模塊在導(dǎo)通情況下,只需要有一定的正方向陽極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊維持導(dǎo)通,即可控硅模塊導(dǎo)通后,門極喪失功能。(4)可控硅模塊在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主電路電壓(或電流)減少到近乎于零時,可控硅模塊斷開。以上就是傳承電子介紹的可控硅模塊的運(yùn)行要求，傳承電子是一...

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IGBT功率模塊智能化驅(qū)動板SCALE驅(qū)動塊的保護(hù)作用

2021-11-11

SCALE的保護(hù)首要包括短路和過流以及電源檢測。對于短路和過流保護(hù)來說，SCALE驅(qū)動中的每路都有1個Vce檢測電路。Rth為關(guān)斷閾值的參考電阻。在igbt模塊啟動后的一段響應(yīng)時間內(nèi)，Vce監(jiān)測線路失效。而當(dāng)Vce發(fā)生故障后，鎖住時間作用開始啟動，并在鎖住時間內(nèi)使驅(qū)動器鎖住igbt模塊，而不會接受輸人信號。模塊中的各線路都有著自身的鎖住作用，并均由各線路的LGD001實(shí)現(xiàn)。一經(jīng)Vce超出由Rth設(shè)定的閾值，鎖住將立刻啟動。SCALE中的每路都有著1個欠壓監(jiān)測線路。當(dāng)電源電壓降到10Ｖ或11Ｖ時，igbt模塊將執(zhí)行負(fù)壓斷開并開始故障報警。以上就是傳承電子對IGBT功率模塊智能化驅(qū)動板SCA...

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鑒于可控硅功率單元的散熱設(shè)計

2021-11-10

散熱器熱阻Rth（c-A）散熱器熱阻可分成穩(wěn)態(tài)熱阻和瞬態(tài)熱阻兩種。1、熱阻Rth的概念：熱阻是熱導(dǎo)的倒數(shù)，廠家是：℃/W（℃/瓦）具備溫差的導(dǎo)熱體兩邊存有熱量由溫高一邊傳至溫低一邊的情況。如溫高一邊發(fā)熱功率為P，兩者之間合乎以下關(guān)系： P是A端穩(wěn)定形成的熱功率。Rth小時TA-TB也小，即溫差也小，反過來溫差也大。由此可見熱阻小的導(dǎo)熱體很快就可以把熱端熱量傳導(dǎo)出來。散熱器穩(wěn)態(tài)熱阻可以用經(jīng)驗公式計算估值：自冷情況下： 風(fēng)冷情況下： 當(dāng)中：l為散熱器肋長；b為肋厚；L為散熱器長；n為肋數(shù)；A為表面積；uS為風(fēng)速；常用廠家：l：米、A：米2、b：米、L...

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