可控硅的反方向特性伏安特性

2021-11-16

可控硅的伏安特性

可控硅陽極A與陰極K間的電壓與可控硅陽極電流間關系稱作可控硅伏安特性,如下圖2所所顯示。正方向特性處在第一象限,反方向特性處在第三象限。
圖2可控硅伏安特性參數示意圖

(1)反方向特性

當門極G開路,陽極添加反方向電壓時(見圖3),J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時僅能經過非常小的反方向飽和電流,當電壓進一步提升到J1結的雪崩擊穿電壓后,并且J3結也擊穿,電流快速增多,如下圖2的特性曲線OR段逐漸彎曲,彎曲處的電壓URO稱之為“反方向轉折電壓”。

之后,可控硅會出現永久性反方向擊穿。
圖3陽極加反方向電壓
圖4陽極加正方向電壓

以上就是傳承電子介紹的可控硅的反方向特性伏安特性，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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