可控硅模塊的導通條件和斷開條件

2021-11-30

可控硅模塊的導通條件可控硅模塊是1種有著3個PN結的四層構造的大功率半導體元器件，通常由兩可控硅模塊反方向相連而成，它有3個極：陽極，陰極和門極。可控硅模塊在運行過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載相連，構成可控硅模塊的主線路，可控硅模塊的門極G和陰極K與控制可控硅模塊的設備相連，構成可控硅模塊的控制線路。它的作用不僅僅是整流，還能夠用來無觸點開關以快速接通或切斷線路，實現將直流電轉換成交流電的逆變，將1種頻率的交流電轉換成另一種頻率的交流電等。可控硅模塊和其它半導體元器件相同，其有體型小、效率高、穩定性好、運行可靠等優勢。上面了解到可控硅模塊的運行原理，我們就接著來看看可控硅模塊的導通和斷開的條件及方式。...

了解詳情

IGBT7功率模塊與IGBT4兩種慣量負載比對檢測

2021-11-29

2臺各自裝載IGBT4與IGBT7，電機帶同樣的慣量盤負載，轉速從1500轉/分鐘到-1500轉/分鐘的時間為250毫秒，穩速運作時間1.2s。穩速運作運行環境下，相輸出電流小于0.5A；所以此檢測運行環境的平均功率較小。電機散熱情況同樣，開關頻率8kHz。能夠看得出，在帶慣量盤加減速運作工況下，IGBT7的結溫低于IGBT4。運作13分鐘后驅動器溫升還沒到達平衡狀態，這時結溫相差約7℃。最終我們對這一部分檢測做一個匯總：輸出同樣的功率，選用IGBT7的驅動器結溫有所下降，可以縮小散熱器的容積，進而驅動器尺寸能夠縮小；倘若同樣的散熱情況，選用IGBT7則能夠輸出更大的功率，到...

了解詳情

單向可控硅模塊管腳辨別

2021-11-26

單向可控硅模塊3個管腳極性的辨別如下所示：0 通常情況下，單向可控硅模塊按陰極（K）、陽極（A）、門極（C）的管腳排列順序（見圖5.76），實際用到時應進行測試，測試的辦法也非常簡單。因為單向可控硅模塊的門極（G）、陰極（K）間只有一個PN結，所以它們間的正、反方向電阻值和普通二極管相同，而陽極（A）、陰極（K）間的正、反方向電阻值均應非常大，按照這一工作原理就可以辨別出各管腳的極性。 其詳細判斷辦法如下圖5—77所顯示，將萬用電表放于“R×100’’擋，黑電筆任接單向可控硅模塊某一管腳，紅電筆依次去碰觸其它2個腳，如測量有一次電阻值為幾百歐姆，而另1次電阻值為幾千歐姆，則可判斷黑電筆所接的為...

了解詳情

IGBT7與IGBT4兩種持續大負載對照檢測

2021-11-25

加載選用2臺電機對拖，被測電機系統運行于電動模式，負載電機系統運行于發電模式；分別選用依托于IGBT4和IGBT7的驅動器驅動被測電機，2臺驅動器每一次加載的開關頻率、輸出電流/功率相同；選用功率分析儀檢測驅動器的輸入功率、輸出功率，測算驅動器的消耗和效率。下圖是持續大負載運行環境下的IGBT4與IGBT7結溫對照。 從文中能夠看得出，在8K開關頻率下加載13分鐘，IGBT7和IGBT4的結溫度差17℃。伴隨著加載時間的延長，結溫度差還處在上升趨勢。我們還比對了不一樣的開關頻率、同樣輸出功率（5.8KVA）狀況下，IGBT7和IGBT4的溫升比對，如下圖所錄。橫軸是igbt模塊的開關頻...

了解詳情

場效應管和可控硅模塊的差別

2021-11-24

有關于這兩個電子元器件在許多線路中都會碰到，例如場效應管可以當作電磁爐中的開關振蕩管、電瓶車充電器線路中當作開關管采用，場效應管特別在電腦主板中用的比較多；針對可控硅模塊咱們通稱可控硅，這一元器件我首次接觸是在學習可控硅模塊變流技術中采用過，隨之后來的學習我發現了可控硅模塊用的也十分多，例如在某些調速風扇的線路中就可以看到晶閘管、在智能調光線路中也是用的晶閘管和在洗衣機線路中都可以使用晶閘管，下邊咱們來說說這兩個元器件有什么差別吧。 第1點是場效應管與可控硅模塊的集成度不一樣從場效應管的構造能夠發現它的構造相對而言比較簡單，特別在制造工藝上要比可控硅模塊簡單很多，再加上其功耗小，噪音低并且熱穩定性也很好，抗輻...

了解詳情