igbt模塊在UPS中的使用情況

2021-05-11

絕緣柵雙極型晶體管（igbt模塊）是1種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合的元件。1200V/100A的igbt模塊的導(dǎo)通電阻是相同耐壓規(guī)格的功率MOSFET的1/10，而開關(guān)時(shí)間是同規(guī)格GTR的1/10。因?yàn)檫@類優(yōu)勢，igbt模塊普遍使用于不間斷電源系統(tǒng)（UPS）的設(shè)計(jì)方案中。這類采用igbt模塊的在線式UPS具備效率高，抗沖擊能力強(qiáng)、穩(wěn)定性高的明顯優(yōu)勢。UPS主要有后備式、在線互動式和在線式3種構(gòu)造。在線式UPS以其穩(wěn)定性高，輸出電壓穩(wěn)定，無中斷時(shí)間等明顯優(yōu)勢，普遍用在通信系統(tǒng)、稅務(wù)、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機(jī)關(guān)的機(jī)房中。文中以在線式為介紹對象，簡介UPS中的igbt模塊的采用。圖1為在線式UPS的主線路，在...

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可控硅模塊的符號與性能講解

2021-05-10

1、可控硅模塊符號： 可控硅模塊也稱作晶閘管模塊，它是由PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有3個電極，陽極A，陰極K和調(diào)控極G。可控硅模塊在線路中可以完成交流電的無觸點(diǎn)調(diào)控，以小電流調(diào)控大電流，且不象繼電器那般調(diào)控時(shí)有火花出現(xiàn)，并且動作快、使用期長、穩(wěn)定性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫和其它各類控制電路中都有它的背影。可控硅模塊可分為單向的和雙向的，符號也不一樣。單向可控硅有3個PN結(jié)，由最外層的P極和N極引出來2個電極，各自稱作陽極和陰極，由中間的P極引出來1個調(diào)控極。2、可控硅模塊性能：單向可控硅有其特有的特征：當(dāng)陽極接反方向電壓，或陽極接正方向電壓但調(diào)控極不添加電壓時(shí)，它都不會導(dǎo)通...

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不間斷電源igbt模塊受損的因素

2021-05-08

在UPS中采用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅模塊和igbt模塊，igbt模塊不僅有功率MOSFET便于驅(qū)動，控制簡易、開關(guān)頻率高的優(yōu)勢，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)勢、采用igbt模塊變成UPS功率設(shè)計(jì)方案的優(yōu)選，唯有對igbt模塊的特點(diǎn)充分的掌握和對線路開始可靠性設(shè)計(jì)，方能發(fā)揮igbt模塊的優(yōu)勢。 igbt模塊受損的因素UPS在用過程中，常常遭受容性或感性負(fù)載的沖擊、過負(fù)荷甚至于負(fù)載短路等，和UPS的誤操作，將會導(dǎo)致igbt模塊受損。igbt模塊在用時(shí)的受損因素主要有以下幾種情況：1、過電流受損。igbt模塊有一定抗過電流功能，但需要小心避免過...

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單結(jié)晶體管構(gòu)成可控硅模塊觸發(fā)線路

2021-05-07

單結(jié)晶體管構(gòu)成的觸發(fā)脈沖生成線路在今天大家制作的調(diào)壓器中早已普遍使用了。它是由單結(jié)晶體管和RC充放電線路構(gòu)成的。合上電源開關(guān)S后，電源UBB經(jīng)電位器RP向電容C充電，電容上的電壓值UC按指數(shù)值規(guī)律性升高。當(dāng)UC升高到單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓值UP時(shí)，單結(jié)晶體管突然接通，基區(qū)電阻RB1大幅度降低，電容C經(jīng)過PN結(jié)向電阻R1快速放電，使R1兩端電壓Ug出現(xiàn)1個正跳變，生成陡峭的脈沖前沿。隨之電容C的放電，UE按指數(shù)值規(guī)律性下降，直至小于谷點(diǎn)電壓值UV時(shí)單結(jié)晶體管停止。這種，在R1兩端輸出的是尖頂觸發(fā)脈沖。這時(shí)，電源UBB又開始給電容C充電，進(jìn)到第2個充放電環(huán)節(jié)。這種周而復(fù)始，線路中完成著周期性的振蕩。調(diào)整RP能夠...

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igbt模塊驅(qū)動電路的使用注意事項(xiàng)

2021-05-07

igbt模塊驅(qū)動線路的功能是將單片機(jī)輸出的脈沖實(shí)現(xiàn)功率放大，以推動igbt模塊，確保igbt模塊的平穩(wěn)運(yùn)行，驅(qū)動線路起著非常重要的功能，對igbt模塊驅(qū)動線路的基本規(guī)定以下：（1）給予適度的正向和反向輸出電壓，使igbt模塊平穩(wěn)的導(dǎo)通和斷開。（2）給予足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時(shí)電流，使igbt模塊能快速構(gòu)建柵控電場而導(dǎo)通。（3）盡量小的輸入輸出延遲時(shí)間，以提升 工作效率。（4）足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號線路與柵極推動電路絕緣。（5）有著靈敏的過流保護(hù)功能。 IGBT負(fù)載短路故障下的幾種影響（1）超出熱極限：半導(dǎo)體的本征溫度極限為250℃，當(dāng)結(jié)溫超出本征溫度，元器件...

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