三端雙向可控硅是什么意思

2021-06-02

雙向可控硅模塊又稱為雙向晶閘管，普通可控硅模塊(VS)本質上歸屬于直流控制元器件。要控制交流負載，必需將2只晶閘管反極性并接，讓每只SCR控制1個半波，因此需兩套獨立的觸發線路，用著不太便捷。雙向晶閘管是在普通可控硅模塊的基礎上發展而成的，它不但能代替2只反極性并接的可控硅模塊，并且僅需1個觸發線路，是現階段較為理想的交流開關元器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。 可控硅模塊的基本原理有哪些？可控硅模塊在自動控制控制，機電行業，工業電氣及家電等層面均有普遍的使用。可控硅模塊是1種有源開關元件，平時它維持在非道通模式，直至由1個較少的控制信號對其觸發或稱“點火”使其道通，一經被點火即便撤離...

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igbt功率模塊結溫檢測目的之性能優化

2021-06-02

1. 性能優化性能優化于NTC的位置離T2管很遠，其溫度為只有95°C。如果NTC的溫度達到100°C（假設仍然在溫度保護點范圍內），T2管的溫度已經超過150°C，就會導致過熱失效，但溫度保護并沒有動作。逆變器的輸出電流能力和使用運用情況和應用環境有關。想要逆變器能穩定運轉，igbt模塊的結溫不超過最高操作結溫（一般會留10-15°C的安全裕量），工程師在設計過程中一般會以最惡劣的運行情形和環境溫度設定最大電流保護點。這便會在具體運轉情形沒有那麼惡劣的情形下形成“過保護”，進而限制逆變器的最大電流輸出能力。如，電動汽車在起步歷程中規定逆變器能夠最大程度輸出電流以供應電機大扭矩實現迅速加速...

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雙向可控硅模塊的10條黃金規則

2021-06-01

1.為了導通閘流管（或雙向可控硅模塊），需要有門極電流≧IGT，直到負載電流到達≧IL。這條件需要滿足，并按將會碰到的最低溫度考慮。2.要斷開（轉換）閘流管（或雙向可控硅模塊），負載電流需要小于IH，并維持足夠長的時間，使能回復至斷開狀態。在將會的最高運作溫度下需要滿足以上所述條件。3.設計雙向可控硅模塊觸發線路時，只需有可能，就需要避開3+象限（WT2-，+）。4.為減小雜波吸收，門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。5.若dVD/dt或dVCOM/dt有可能造成的問題，在MT1和MT2間添加RC緩沖線路。若高dICOM/dt將會造成問題，添加一幾mH的...

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怎樣檢測/計算igbt模塊的結溫？

2021-05-31

IGBT模塊中一般均會在陶瓷基板（DBC）上設立熱敏電阻（NTC或PTC，因為NTC比較常用，下面簡稱NTC）用作溫度檢測，如圖1所示。在實際使用中，工程師最直接也是最普遍的1個難題便是：我檢測到NTC的溫度，那麼igbt模塊實際的結溫是多少？或是：igbt模塊芯片和NTC間的溫度差是多少？ 圖1：SEMiX3pigbt模塊模塊中的NTC很明顯，igbt模塊結溫才算是變頻器/變流器/逆變器（下面簡稱逆變器）設計中大家關心的難題。原因很簡單，igbt模塊有操作結溫需求（比如igbt模塊4的Tjop不超過150°C），長期高于這一溫度igbt模塊會過熱失靈。另外，即便結溫不超過需求，一些應用中也要考慮到大的結溫波...

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雙向可控硅使用的注意事項

2021-05-28

現階段交流調壓多選用雙向可控硅模塊，它具備體型小、質地輕、效率高和方便使用等優勢，對提升生產效率和降低成本等均有顯著功效，但它也具備過載和抗干擾能力差，且在操控大電感負載時會干擾電網和自干擾等弊端，下邊我們來談談可控硅模塊在其使用中該如何避開上述情況。 1.靈敏度雙向可控硅模塊是一個三端元器件，但我們不會稱其兩極為陰陽極，反而稱之為T1和T2極，G為操控極，其操控極上所加電壓不論為正方向觸發脈沖或反向觸發脈沖均可使操控極導通，但觸發靈敏度互不相同，即確保雙向可控硅模塊能進到導通模式的最低門極電流IGT是有差別的。2.可控硅模塊過載的保護可控硅模塊元件優勢很多，但它過載能力差，短期內的過流，過壓...

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