雙向可控硅模塊的10條黃金規(guī)則

2021-06-01

1.為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅模塊），需要有門極電流≧IGT，直到負(fù)載電流到達(dá)≧IL。這條件需要滿足，并按將會碰到的最低溫度考慮。

2.要斷開（轉(zhuǎn)換）閘流管（或雙向可控硅模塊），負(fù)載電流需要小于IH，并維持足夠長的時間，使能回復(fù)至斷開狀態(tài)。在將會的最高運(yùn)作溫度下需要滿足以上所述條件。

3.設(shè)計雙向可控硅模塊觸發(fā)線路時，只需有可能，就需要避開3+象限（WT2-，+）。

4.為減小雜波吸收，門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。

5.若dVD/dt或dVCOM/dt有可能造成的問題，在MT1和MT2間添加RC緩沖線路。若高dICOM/dt將會造成問題，添加一幾mH的電感和負(fù)載串接。另一種解決方案，選用Hi-Com雙向可控硅模塊。

6.倘若雙向可控硅模塊的VDRM在有嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，選用以下方法其一：負(fù)載上串接電感量為幾霩的不飽和電感，以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

7.選用好的門極觸發(fā)線路，避開3+象限工況，能夠最大限度提高雙向可控硅模塊的dIT/dt承受能力。

8.若雙向可控硅模塊的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上建議串連1個幾霩的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決方法：對電阻性負(fù)載選用零電壓導(dǎo)通。

9.元件固定到散熱器時，防止讓雙向可控硅模塊遭到應(yīng)力。固定，之后焊接引線。不可以把鉚釘芯軸放到元件接口片一側(cè)。

10.為了長期可靠運(yùn)行，應(yīng)確保Rthj-a足夠低，維持Tj不高過Tjmax，其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。

以上就是傳承電子對雙向可控硅模塊的10條黃金規(guī)則的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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