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可控硅模塊的陰極與陽極和觸發極檢測詳細說明
1．辨別各電極按照普通的可控硅模塊的構造得知，其門極G與陰極K極間為1個PN結，具備單向導電特性，而陽極A與門極間有兩個反極性串連的PN結。所以，通過用數字萬用表R×100A或R×1k檔量測普通的可控硅模塊各引腳間的電阻值，即能確認3個電極。

具體方式是：將數字萬用表黑電筆任接可控硅模塊某個極，紅電筆順次去觸碰另外2個電極。若量測結論有一次電阻值為幾千歐姆（kΩ），而另1次電阻值為幾百歐姆（Ω），則可判別黑電筆接的是門極G。在電阻值為幾百歐姆的量測中，紅電筆接的是陰極K，而在電阻值為幾千歐姆的那次量測中，紅電筆接的是陽極A，若2次測出的電阻值均非常大，則表明黑電筆接的不是門極G，使用一樣方式 改測其余電極，直到找到3個電極為止。

還可以測任兩腳間的正、反方向電阻，若正、反方向電阻均靠近無窮大，則兩極即是陽極A和陰極K，而另一腳即是門極G。

普通的可控硅模塊還可以按照其封裝形式來判定出各電極。比如：

螺栓形普通的可控硅模塊的螺栓一頭為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。

平板形普通的可控硅模塊的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。

金屬殼封裝（TO–3）的普通的可控硅模塊，其外殼為陽極A。

塑封（TO–220）的普通的可控硅模塊的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片連接。圖8-15為幾種普通的可控硅模塊的引腳排列。

2．判定其好壞用數字萬用表R×1k檔量測普通的晶體管陽極A與陰極K間的正、反方向電阻，正常時均應是無窮大（∞）若測出A、K間的正、反方向電阻值為零或電阻值較小，則表明可控硅模塊內部擊穿短路或漏電。

量測門極G與陰極K間的正、反方向電阻值，正常時應該有近似二極管的正、反方向電阻值（實際量測結論較普通的二極管的正、反方向電阻值小一些），即正向電阻值較?。ǖ陀?kΩ），反方向電阻值較大（大過80kΩ）。若2次量測的電阻值均非常大或均很小，則表明該可控硅模塊G、K極間開路或短路。若正、反電阻值均相等或靠近，則表明該可控硅模塊已失效，其G、K極間PN結已失去單向導電作用。

量測陽極A與門極G間的正、反方向電阻，正常時2個電阻值均應是幾百千歐姆（kΩ）或無窮大，若出現正、反方向電阻值不同（有近似二極管的單向導電），則是G、A極間反方向串連的2個PN結中的1個已擊穿短路。

3．觸發能力測量對于小功率（工作電流為5A之下）的普通可控硅模塊，可用數字萬用表R×1檔測量。測量時黑電筆接陽極A，紅電筆接陰極K，這時表針不動，表明電阻值為無窮大（∞）。用鑷子或導線將可控硅模塊的陽極A與門極短接，等同于給G極添加正方向觸發電壓，這時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆（具體電阻值根據可控硅模塊的型號不同會有所差異），則表明可控硅模塊因正方向觸發而導通。再斷開A極與G極的連接（A、K極上的電筆不動，只將G極的觸發電壓斷開），若表針顯示值仍維持在幾歐姆至幾十歐姆的位子不動，則表明此可控硅模塊的觸發特性良好。

對不求甚解作電流在5A以上的中、大功率普通可控硅模塊，因為其通態壓降VT、維持電流IH及門極觸發電壓VG均對應較大，數字萬用表R×1檔所供應的電流過低，可控硅模塊無法完全導通，故測量時可在黑表筆端串連1只200Ω可變電阻和1~3節1.5V干電池（視被測可控硅模塊的容量而定，其工作電流大過100A的，用3節1.5V干電池），如下圖8-17所顯示。

也能夠用圖8-18中的測量線路測量普通可控硅模塊的觸發能力。線路中，VT為被測可控硅模塊，HL為6.3V指示燈（手電筒中的小電珠），GB為6V電源（可用4節1.5V干電池或6V穩壓電源），S為按鈕，R為限流電阻。

當按鈕S未接通時，可控硅模塊VT處在阻斷模式，指示燈HL沒亮（若這時HL亮，則是VT擊穿或漏電毀壞）。按動一下按鈕S后（使S連接一下，為可控硅模塊VT的門極G供應觸發電壓），若指示燈HL一直都點亮，則表明可控硅模塊的觸發能力良好。若指示燈亮度過低，則表明可控硅模塊特性欠佳、導通壓降大（正常時導通壓降應當為1V左右）。若按鈕S連接時，指示燈亮，而按鈕斷開時，指示燈熄滅，則表明可控硅模塊已經壞了，觸發特性欠佳。

以上就是傳承電子介紹的單向可控硅模塊的檢測方法，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。