可控硅（晶閘管）的注意事項

2021-02-21

電流量上升率、電壓上升率的抑止保護

1.電流量上升率di/dt的抑止

晶閘管初導通時電流量聚集在接近門極的陰極表層較小的范圍，部分電流密度過大，隨后以0.1mm/μs的拓展速度將電流量拓展到整個陰極面，若晶閘管導通時電流量上升率di/dt過大，會造成 PN結擊穿，需要限制晶閘管的電流量上升率使其在適宜的范疇內。其更有效方法是在晶閘管的陽極電路串聯入電感。如下圖:
圖1：串聯電感抑止電路
2.電壓上升率dv/dt的抑止

加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應有一定的限制,一旦dv/dt過大，基于晶閘管結電容的存在而發生過大的位移電流，該電流能夠本質上發揮觸發電流的效果，使晶閘管正向阻斷能力下跌，情況嚴重時引發晶閘管誤導通。

為抑止dv/dt的功能，能夠在晶閘管兩端并聯R-C阻容吸收電路。如下圖：
圖2：并聯R-C阻容吸收電路
以上就是傳承電子設計師"可控硅（晶閘管）的注意事項"介紹， 傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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