晶閘管（可控硅）的過壓保護

2021-02-21

一、晶閘管的過壓保護

晶閘管模塊在運作過程中，會遭到由交流供電電網(wǎng)進到的操作過電壓和雷擊過電壓的侵擾。另外，模塊自身運作中和非正常運作中也有過電壓出現(xiàn)。

1.過電壓保護的第一個辦法是并接R-C阻容吸收電路，和用壓敏電阻或硒堆等非線性元器件完成控制。見圖3和圖4。
圖1：阻容三角控制過壓    圖2：壓敏電阻或硒堆控制過壓

2.過電壓保護的第二個辦法是選用電子電路完成保護。常用的電子保護原理圖如下：
圖2過壓保護原理圖

二、整流晶閘管阻容吸收元件的選擇

電容的選擇:

C=(2.5-5)×10的負8次方×If

If=0.367Id

Id-直流電流值

如果整流側(cè)采用500A的晶閘管

可以計算C=(2.5-5)×10的負8次方×500=1.25-2.5μF

選用2.5μF，1kv 的電容器

電阻的選擇：

R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56

選擇10歐

PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負12次方×R)/2

以上就是傳承電子設(shè)計師晶閘管的過壓保護介紹， 傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。具體產(chǎn)品有：IGBT模塊、晶閘管(可控硅)模塊、超快恢復外延二極模塊、 單相整流橋模塊、 三相整流橋模塊、整流二極管模塊、肖特基二極管模塊等功率半導體器件。

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