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igbt模塊強驅動線路的設計
2021-05-17
圖2是一個脈沖周期,當正脈沖上升沿(t0~t3)來臨時(這兒只考量正脈沖),電容C等同于短路,利用二極管D和電容C能夠給igbt模塊供應很大的瞬間電流,把驅動脈沖的上升時間減短。
圖2中正脈沖便是igbt模塊的驅動信號,這一負脈沖的上升沿也是由另一個一條線驅動脈沖感應來的,因此所要探討的便是另一條線驅動脈沖的下降沿尖峰,這4路輸出脈沖是相同的,因此只需探討一條線。但為了能直觀、完整,這兒就把它當作是本路負脈沖的上升沿來探討(下邊提及的負脈沖都是這類情形)。
自然穩壓管這一條線路也是有電流流過,但與加速電容C這一條線路對比就比較小。
若不添加電阻R,這一電容會通過幾個脈沖周期充滿電荷,而喪失加速功效,因此規定電容C的電荷在每一個周期上升沿來臨時,電容上無儲存電荷。所以在電容上并接一小阻值的電阻,給電容供應放電回路。
在脈沖平頂期(t3~t4)時,igbt模塊的輸入門極電容早已充滿,門極維持高電平,這時igbt模塊的G-E間等同于斷開,變壓器次邊維持高電平。
當脈沖下降沿(t4~t9)來臨時,igbt模塊的輸入電容在這段時間反方向放電,需緩關,若放電速度太快會造成很大的斷開尖峰,因此需阻斷利用加速電容加速放電,故在加速電容前串連1個快恢復二極管,使其只利用穩壓管放電。
穩壓管能夠有效地吸收其尖峰,并能夠控制其下降沿的陡度。
改善線路部分所加元件能夠看作1個可變電阻:這一電阻在脈沖上升沿開始到igbt模塊彌勒平臺時(t0~t2),電阻值是比較小的,主要是充電電流從加速電容這一條線路流過,故而持續加速對igbt模塊門極電容的充電。
igbt模塊的彌勒平臺這段時間內,由于電容上電壓升高,其充電電流速度在逐步減少,到彌勒平臺結束時,其充電電流速度為零,充電電流達到最大。這個能夠從門極電阻上電壓波形取得確認。
在上升沿結束(t3)時,充電電流減少到近乎為零,故而并不會發生過沖尖峰。在加速電容前加1個反方向二極管阻隔其迅速放電通道。圖3是初始的驅動波型;圖4為額外添加線路驅動波型;圖5為滿負載時驅動波型。
以上就是傳承電子對igbt模塊強驅動線路的設計的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

自然穩壓管這一條線路也是有電流流過,但與加速電容C這一條線路對比就比較小。
若不添加電阻R,這一電容會通過幾個脈沖周期充滿電荷,而喪失加速功效,因此規定電容C的電荷在每一個周期上升沿來臨時,電容上無儲存電荷。所以在電容上并接一小阻值的電阻,給電容供應放電回路。
在脈沖平頂期(t3~t4)時,igbt模塊的輸入門極電容早已充滿,門極維持高電平,這時igbt模塊的G-E間等同于斷開,變壓器次邊維持高電平。
當脈沖下降沿(t4~t9)來臨時,igbt模塊的輸入電容在這段時間反方向放電,需緩關,若放電速度太快會造成很大的斷開尖峰,因此需阻斷利用加速電容加速放電,故在加速電容前串連1個快恢復二極管,使其只利用穩壓管放電。
穩壓管能夠有效地吸收其尖峰,并能夠控制其下降沿的陡度。
改善線路部分所加元件能夠看作1個可變電阻:這一電阻在脈沖上升沿開始到igbt模塊彌勒平臺時(t0~t2),電阻值是比較小的,主要是充電電流從加速電容這一條線路流過,故而持續加速對igbt模塊門極電容的充電。
igbt模塊的彌勒平臺這段時間內,由于電容上電壓升高,其充電電流速度在逐步減少,到彌勒平臺結束時,其充電電流速度為零,充電電流達到最大。這個能夠從門極電阻上電壓波形取得確認。
在上升沿結束(t3)時,充電電流減少到近乎為零,故而并不會發生過沖尖峰。在加速電容前加1個反方向二極管阻隔其迅速放電通道。圖3是初始的驅動波型;圖4為額外添加線路驅動波型;圖5為滿負載時驅動波型。
以上就是傳承電子對igbt模塊強驅動線路的設計的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
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