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為了避免igbt模塊出現(xiàn)擎住效應(yīng)而毀壞，線路設(shè)計(jì)中應(yīng)確保igbt模塊的最大的工作電流應(yīng)不超過igbt模塊的IDM值，此外注意可適度增加驅(qū)動(dòng)電阻RG的方式延長(zhǎng)斷開時(shí)間，減小igbt模塊的di/dt。驅(qū)動(dòng)電壓的大小也會(huì)影響igbt模塊的擎住效應(yīng)，驅(qū)動(dòng)電壓低，承擔(dān)過電流時(shí)間長(zhǎng)，igbt模塊必需加負(fù)偏壓，igbt模塊生產(chǎn)廠家通常建議加-5V左右的反偏電壓。在有負(fù)偏壓情況下，驅(qū)動(dòng)正電壓在10—15V間，漏極電流可在5～10μs內(nèi)超出額定電流的4～10倍，因此驅(qū)動(dòng)igbt模塊必需設(shè)計(jì)負(fù)偏壓。

因?yàn)閁PS負(fù)載沖擊特性各有不同，且供電的裝備很有可能出現(xiàn)電源故障短路，因此在UPS設(shè)計(jì)中實(shí)行限流措施進(jìn)行igbt模塊的電流限制也是必需的，可考慮采用igbt模塊廠家提供的驅(qū)動(dòng)厚膜線路。如一些廠家的EXB841、EXB840，M57959AL，57962CL，它們對(duì)igbt模塊的集電極電壓進(jìn)行檢驗(yàn)，倘若igbt模塊出現(xiàn)過電流，內(nèi)部線路進(jìn)行關(guān)閉驅(qū)動(dòng)。

這種方式有時(shí)候依然無法保護(hù)igbt模塊，傳承電子建議的短路保護(hù)方式是：先檢驗(yàn)通態(tài)壓降Vce，倘若Vce超出設(shè)定值，保護(hù)線路立刻將驅(qū)動(dòng)電壓降為8V，因此igbt模塊由飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)到放大區(qū)，通態(tài)電阻增加，短路線路減削，經(jīng)過4us連續(xù)檢驗(yàn)通態(tài)壓降Vce，倘若正常，將驅(qū)動(dòng)電壓恢復(fù)原狀，倘若未恢復(fù)，將驅(qū)動(dòng)關(guān)閉，使集電極電流減為零。

如此實(shí)現(xiàn)短路電流軟斷開，可以避免快速斷開導(dǎo)致的過大di/dt毀壞igbt模塊，如圖6，當(dāng)出現(xiàn)過電流，10us內(nèi)將igbt模塊的啟動(dòng)電壓減為9V，配合M57160AL驅(qū)動(dòng)厚膜線路可以快速軟斷開保護(hù)igbt模塊。
圖5：igbt模塊等效電路圖
圖6F系列igbt模塊的RCT線路

以上就是傳承電子對(duì)igbt模塊過電流毀壞解決對(duì)策的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。