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M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)線路選用雙電源（+15V，-10V）配電，輸出負(fù)偏壓為-10V，I/O電平與TTL電平兼容，備有短路/過載保護(hù)和封閉型短路保護(hù)作用，此外兼具延遲保障特性。其各自適用于驅(qū)動(dòng)1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A和之下的IGBT.M57959L/M57962L在驅(qū)動(dòng)中小功率的IGBT時(shí)，驅(qū)動(dòng)實(shí)際效果和各類性能呈現(xiàn)良好，但當(dāng)其運(yùn)作在高頻下時(shí)，其脈沖前后沿變的較差，即信號(hào)的最大傳送寬度受限制。且厚膜內(nèi)部選用印刷線路板設(shè)計(jì)，排熱并不是很好，很容易因過熱導(dǎo)致內(nèi)部元件的燒壞。
M57959L集成IGBT專用的驅(qū)動(dòng)芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅(qū)動(dòng)。其最高頻率也達(dá)40KHz，選用雙電源配電（+15V和-15V）輸出電流峰值為±2A，M57959L有之下特性：

（1）選用光耦完成電器隔離，光耦是快速型的，適用20KHz上下的高頻開關(guān)運(yùn)作，光耦的原邊已串連限流電阻，可將5V電壓直接加到輸入側(cè)。

（2）倘若選用雙電源驅(qū)動(dòng)工藝，輸出負(fù)柵壓較高，電源電壓的極限值為+18V/-15V，通常取+15V/-10V。

（3）信號(hào)傳送延遲時(shí)間短，低電平-高電平的傳送延遲和高電平-低電平的傳送延遲時(shí)間都在1.5μs之下。

（4）兼具過流保護(hù)作用。M57962L經(jīng)過檢測IGBT的飽和壓降來辨別IGBT是不是過流，要是過流，M57962L便會(huì)將對(duì)IGBT實(shí)施軟斷開，并輸出過流故障信號(hào)。

（5）M57959的內(nèi)部構(gòu)造如圖所示，這一線路的驅(qū)動(dòng)部份與EXB系列產(chǎn)品相近，但過流保護(hù)上有所差別。過流檢測仍使用電壓采樣，線路特性是選用柵壓緩降，完成IGBT軟斷開。

規(guī)避了斷開中過電壓和大電流沖擊，此外，在斷開環(huán)節(jié)中，輸入控制信號(hào)的情況失去作用，既保障斷開是在封閉情況中完成的。當(dāng)保障開始時(shí)，即刻送出故障信號(hào)，目的是斷開控制信號(hào)，以及線路中其余有源器件。

以上就是傳承電子igbt模塊的M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)線路的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。