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為正常情況下用雙向可控硅模塊，需定量了解其基本參數，對雙向可控硅模塊進行恰當選取并采取有效措施以實現各參數的標準。

耐壓級別的使用：一般是把VDRM（斷態重復峰值電壓）和VRRM（反向重復峰值電壓）中較小的值標作該元器件的額定電壓。使用時，額定電壓應是正常情況下工作峰值電壓的2~3倍，用作允許的操作過壓裕量。

電流的判定：因為雙向可控硅模塊一般是用在交流電路中，所以無需平均值而用有效值來表示它的額定電流值。因為可控硅模塊的負載能力比通常電磁元器件小，因此通常家電中選取可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。另外，可控硅模塊承載斷態重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時的峰值電流應小于元器件規定的IDRM和IRRM。

通態（峰值）電壓VTM的使用：它是可控硅模塊通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為降低可控硅模塊的熱損耗，應盡量使用VTM小的可控硅模塊。

維持電流：IH是維持可控硅模塊維持通態所必要的最小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。

電壓上升率的抵制：dv/dt指的是在關閉模式下電壓的上升斜率，它是預防誤觸發的1個主要參數。此值超限將可能造成 可控硅模塊出現誤導通的狀況。因為可控硅模塊的生產工藝確定了A2與G中間會存有寄生電容，如圖1所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩邊會出現等效電流，這一電流便會成為Ig，也就是出現了觸發電流，造成 誤觸發。

轉換電壓上升率dVCOM/dt。驅動高電抗性的負載時，負載電壓和電流的波形間一般是出現實質性的相位移動。當負載電流過零時雙向可控硅模塊出現轉換，因為相位差電壓并不是零。此時雙向可控硅模塊須馬上阻斷該電壓。產生的轉換電壓上升率（dVCOM/dt）若超出允許值，會迫使雙向可控硅模塊恢復導通模式，因為載流子沒有充足的時間自結上撤出，如圖2所示。

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以上就是傳承電子設計師"雙向可控硅模塊應用領域"介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。