IGBT的過熱保護方法

2022-05-07

IGBT的損耗功率關(guān)鍵涉及開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，前面一種隨開關(guān)頻率的增高而增大，占整體損耗的主要部分;后面一種是IGBT控制的平均電流與電源電壓的乘積。

因為IGBT是功率大的半導(dǎo)體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多(尤其是Rg選擇偏大時)，加上IGBT的結(jié)溫?zé)o法高于125℃，不適合長期性運行在較高環(huán)境溫度下，所以要選用得當(dāng)?shù)纳岱桨高M行過熱保護。

散熱通常是選用散熱器(涉及普通的散熱器與熱管散熱器)，并可進行強迫風(fēng)冷。散熱器的架構(gòu)設(shè)計應(yīng)符合：

Tj=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm式中Tj-IGBT的運行結(jié)溫

P△-損耗功率

Rjc-結(jié)-殼熱阻

Rcs-殼-散熱器熱阻

Rsa-散熱器-環(huán)境熱阻

Tjm-IGBT的最高結(jié)溫

在具體工作中，我們選用普通的散熱器與強迫風(fēng)冷相結(jié)合的方案，并在散熱器上裝溫度開關(guān)。

當(dāng)環(huán)境溫度到達75℃～80℃時，利用SG3525的關(guān)閉信號終止PMW傳送控制信號，進而使驅(qū)動器封鎖IGBT的開關(guān)輸出，并給予關(guān)斷保護。

以上就是傳承電子設(shè)計師對IGBT的過熱保護方法的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。

傳承主要供應(yīng)各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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