可控硅模塊的主要參數介紹

2022-05-01

額定正方向平均電流：在規定條件下，陽極和陰極間能夠連續利用的50HZ正旋半波電流的平均值。

維持電流：在規定條件下保持可控硅導通的最少正方向電流。

漏源飽和電流：在柵源短路，漏源電壓足夠大時的漏源電流。

正方向跨導：在共源線路中，柵源輸入電壓每增加1V所產生的漏源輸出電流的變化量。

最大柵源電壓：MOS管由于其柵極有很高的絕緣電阻，所以柵極斷開時，極易使管子毀壞，儲存時應留意將3個管腳短接。

例：N溝道結型場效應管:3DJ6D。

飽和漏源電流：《0.35ma夾斷電壓：<4V(-4V)柵源絕緣電阻：10(8)ohm正方向跨導：>1000輸入電容：<5pf電容反饋：<2pf低頻噪聲：<5db高頻功率增益：>10db最高震蕩頻率：>30mhz最高漏源電壓：20V最高柵源電壓：20V最高耗散功率：100mw最高漏源電流：15ma。

正方向（反方向）阻斷電壓：定位為轉折電壓減掉100V后的電壓值，用時正方向電壓不允許高于此值。

控制極觸發電壓電流：在規定環境下使可控硅模塊導通所必需的最低控制極直流電壓電流值，通常情況，控制極電壓不的高于10V電流不超過1A

可控硅模塊的導通時長：從控制極添加信號到陽極電流上升到最終值的90%所需用的時長。他包含延遲時間，為陽極電流上升到10%的時長，上升時間，為從10%-90%所需用的時長。

關斷時長：從切斷正方向電流到控制極恢復控制能力所需用的時長。

例：3CT061(小電流單向管)電流：1A觸發電壓：《2V

可控硅模塊的觸發電流：0.01-30ma導通時長<80us

可控硅模塊的關斷時長：<2.5us瞬時電流：9.5A

3CTS5(小電流雙向管)電流：5A觸發電壓：《3V

觸發電流：50ma瞬時電流：42A

以上就是傳承電子對可控硅模塊的主要參數的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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