IGBT功率模塊

2022-04-19

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）組成的功率模塊。因為IGBT模塊為MOSFET構造，IGBT的柵極經過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具備出色的元器件性能。普遍使用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。
工藝特點

IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制線路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優勢。實際上是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優勢于一體化。又因先進的生產工藝使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點十分顯著的特性，近期西門子公司又發布低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦已在開發研制新品種。

應用

IGBT是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主線路逆變器及所有逆變線路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代所有其他功率器件，例SCR、GTO、GTR、MOSFET、雙極型達林頓管等如今功率可高達1MW的低頻應用中，單一元件電壓可達4.0KV（pt構造）一6.5KV（npt構造），電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。

以上就是傳承電子對IGBT功率模塊的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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