可控硅兩邊并接阻容網絡的功能

2022-03-03


我們知道，可控硅模塊有個重要性能參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表示模塊在額定結溫和門極開路情形下，使其從斷態轉為通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超出了它的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情形下開啟。即便這時加于可控硅模塊的正方向電壓小于其陽極峰值電壓，也可以產生這一情形。因為可控硅模塊能夠看成是由3個PN結構成。

在可控硅模塊線路中，在其兩邊并接RC串連網絡，該網絡常稱作RC阻容吸收線路。

在可控硅模塊處在阻斷情況下，因各層相距非常近，其J2結結面等同于一個電容C0。當可控硅模塊陽極電壓變動時，便會出現充電電流流到電容C0，并借助J3結，這一電流起了門極觸發電流功效。假如可控硅模塊在斷開時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，便有可以導致門極在沒有觸發信號的情形下，可控硅模塊誤導通現象，即常說的硬開啟，那是不允許的。因此 ，對加在可控硅模塊上的陽極電壓上升率應該有相應的控制。

為了控制線路電壓上升率過大，確保可控硅模塊安全運作，常在可控硅模塊兩邊并接RC阻容吸收網絡，借助電容兩端電壓無法突變的性能來控制電壓上升率。因為線路經常產生電感的(變壓器漏感或負載電感)，因此 與電容C串聯電阻R能起阻尼作用，它能夠避免R、L、C線路在過渡階段中，因振蕩在電容器兩邊產生的過電壓毀壞可控硅模塊。同時，避免電容器借助可控硅模塊放電電流過大，導致過電流而毀壞可控硅模塊。

因為可控硅模塊過流到壓能力很差，如果不采用可靠的保護措施是無法正常運行的。RC阻容吸收網絡便是經常使用的保護方式之一。

以上就是傳承電子介紹的可控硅兩邊并接阻容網絡的功能，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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