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igbt模塊是三端元器件，芯片內部構造含有有柵極、集電極和發射極，等效線路如下圖2-1所顯示，在igbt模塊的柵極G和發射極E間加+15V標準電壓，則igbt模塊導通，倘若集電極有上拉電阻，集電極和發射極電壓就會變成0.2V，即集電極與發射極間因為門極添加正電壓而成低阻狀態促使igbt模塊飽和導通;若在igbt模塊的柵極G和發射極E間添加-15V則igbt模塊反方向截止，添加負壓而不是OV的目的是使igbt模塊可快速而可靠的關斷，對igbt模塊實際選擇有重要意義。
隨著igbt模塊在電氣領域的普遍使用，并接的形式使商品具備更高的功率密度、均勻的基板熱分布、靈活的布局及較高的性價比等優勢。但，靜態和動態均流問題的出現，限制了igbt模塊通流能力的利用率，現今多選用降額選擇。然而選用有源門板電壓主動控制，就無需對igbt模塊驅動設備進行降額處理和增加設備。

干擾靜態均流的原因

1、并接igbt模塊的直流母線側連接點的電阻分量，所以必須盡可能對稱；

2、igbt模塊芯片的Vce（sat）和二極管芯片的VF的差別，因此盡可能選擇同一批號的商品。

3、IGBT模塊所在的溫度差別，設計機械結構及風道時必須考慮；

4、igbt模塊模塊所在的磁場差別；

5、柵極電壓Vge的差別。
干擾動態均流的原因

1、IGBT模塊的開通門檻電壓VGEth的差別，VGEth越高，igbt模塊開通時刻越晚，不同模塊會有差別；

2、每一個并接的IGBT模塊的直流母線雜散電感L的差別；

3、門極電壓Vge的差別；

4、門極回路中的雜散電感量的差別；

5、IGBT模塊所在溫度的差別；

6、IGBT模塊所在的磁場的差別。
igbt模塊芯片溫度對均流的干擾

igbt模塊芯片的溫度對動態均流特性和靜態均流特性干擾非常大：

1、因為igbt模塊的Vcesat的正溫度系數特性，使溫度高的芯片的Vcesat更高，會分到較少的電流，所以生成了1個負反饋，使靜態均流趨于收斂；

2、按照我們的經驗，我們發覺，芯片溫度變高后，動態均流的特性也會變好；例如在測試動態均流時，我們會選擇雙脈沖檢測方法，但這時芯片是處在冷態的，當把設備跑起來后，動態均流會改善。

igbt模塊芯片所在的磁場對均流的干擾

IGBT模塊周邊如果有強磁場，則模塊的均流會遭到干擾。

1、倘若2個IGBT模塊并接且并列安裝，倘若交流排的輸出電纜在放置時接近其中某1個IGBT模塊而遠離另外1個，則均流特性便會出問題；

2、以上現象的因素是某一大電流在導線上移動時形成磁場，對磁場內的其余導通的電流形成“擠出”或“吸引”的效應；

所以，在結構設計時，必須重視交流排出線的走線方式，以防出現磁場的干涉現象。

以上就是傳承電子對igbt模塊并接均流的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。