檢測雙向可控硅模塊的優(yōu)劣方法之二

2021-12-06


借助整流二極管，可以快速判別雙向可控硅模塊究竟沿哪一個方向擊穿短路。檢測線路見圖1。

D1、D2是2只極性相反的硅整流二極管。假設(shè)在交流電的正半周，Ua＞Ub，則D1導通，D2截止，電流向下；當負半周Ua＜Ub時，D2導通，D1截止，電流的方向往上。

所以D1、D2上的電流的方向可代表雙向可控硅模塊可能被擊穿的方向。

D1、D2的反向耐壓值應足夠高。圖上被測雙向可控硅模塊為BCM3AM，整流管為1N4005，它們的反向擊穿電壓均為600V。

檢測流程如下所示：

第1步：斷開S1，將S2撥置c時，燈管應熄滅。若燈管發(fā)亮，但亮度明顯偏低（100W燈管亮度僅相當于25W燈管），表明雙向可控硅模塊沿T2→T1的方向擊穿短路。這時D1對220V交流電作半波整流，燈管上的電流平均值減小，亮度降低。

第2步：斷開S1，將S2撥至d，燈管應熄滅。若燈管發(fā)亮，且亮度同上，表明元器件沿T1→T2的方向擊穿短路。這時靠D2進行半波整流后使燈管發(fā)亮。

第3步：按以上操作時燈管均不亮，就可以蓋下S1。燈管發(fā)亮，意味著雙向可控硅模塊可以被啟動，品質(zhì)優(yōu)良。不然是門極開路，或是極T1→T2間開路。

對雙向擊穿的管子應徹底報廢。若是單向擊穿短路（或斷路），只要是門極完整無損，仍可將這類雙向可控硅模塊做為1只單向晶閘管運用。

以上就是傳承電子介紹的檢測雙向可控硅模塊的優(yōu)劣方法之二，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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