IGBT7功率模塊與IGBT4兩種典型運行環境對照方案

2021-11-23

IGBT7做為全新一代igbt模塊工藝平臺，它與IGBT4的性能對照始終是技術人員在意的問題。文中利用FP35R12W2T4與FP35R12W2T7在同一個平臺伺服驅動中的檢測，獲得了同樣運行環境下IGBT4與IGBT7的結溫對照。試驗結果顯示，在持續大功率負載運行環境與慣量盤負載運行環境的對照檢測中，IGBT7的結溫均小于IGBT4。
伺服驅動系統響應速率快，過載倍數高，小型化和高功率密度的趨勢更加是對功率器件確立了更嚴苛的需求。

IGBT7借助于超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結溫、很好契合伺服驅動器的全部要求需求。

依托于IGBT7的伺服驅動完整解決方法，可有效提升功率密度。驅動芯片選用無磁芯變壓器1EDI20I12MH。由于IGBT7特有的電容構造，不會寄生導通，所以能夠選用單電源設計，較大程度上優化了驅動設計。

主控MCU選用XMC4700/4800，電機位置檢測選用TLE5109，實現轉速與位置的精準控制。

為了對照IGBT4與IGBT7在伺服驅動中的表現，我們選用了同一個平臺的2臺伺服驅動，分別搭載PIN腳布局同樣的FP35R12W2T4與FP35R12W2T7，在同樣dv/dt條件下（dv/dt=5600V/us），進行檢測。

我們設計了2種典型運行環境對照方案，來對照IGBT4與IGBT7在同樣的運行環境下的結溫，分別是持續大負載對照檢測與慣量負載對照檢測。待測igbt模塊模塊內的igbt模塊芯片上預埋熱電偶，利用將熱電偶連接數據采集儀，能夠直接讀取igbt模塊芯片結溫。

以上就是傳承電子對IGBT7與IGBT4兩種典型運行環境對照方案的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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