igbt電壓電流基本參數選用

2021-09-16

在保護吸收線路中，當T1導通，T2截止時，T2承擔的電壓Uce2為：
考慮到電網波動為+/-10%，T2成熟的電壓為Uce2為：
再考慮到線路中開通斷開瞬間電壓，及IGBT模塊承擔電壓應留出50%～80%的裕量，其所選模塊電壓BVce應是：
考慮到電網的波動、運作時電流尖峰的影響，選用的IGBT模塊Icm為：
當中，Pn為逆變器輸出功率。δ為脈沖占空比，η為逆變器效率。

igbt模塊組成的電機傳動用逆變器的主線路組成及igbt模塊基本參數選用，驅動線路、緩沖吸收電路的組成及基本參數選用以及主線路安裝和合理布局應考慮到的問題，對實際應用中的逆變器設計有一定價值。

以上就是傳承電子對igbt電壓電流基本參數選用的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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