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igbt模塊（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）構成的復合全控型電壓驅動式輸出功率半導體元器件，兼具MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩層面的優勢。GTR飽和壓下降，載流密度大，但驅動電流比較大;MOSFET驅動輸出功率較小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。

igbt模塊結合了上述2種元器件的優勢，驅動輸出功率小而飽和壓下降。特別適合運用于直流電壓為600V及上述的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源電路、照明線路、牽引傳動等行業。

現階段國內缺少高品質IGBT模塊，近乎全部靠進口。絕緣柵雙極晶體管（igbt模塊）是高壓開關家族中極其年輕的1位。由1個15V高阻抗電壓源就可以便捷的調節電流流通元器件進而可做到用較低的調節輸出功率來調節高電流。

igbt模塊的原理和作用通俗易懂版：

igbt模塊便是1個開關，非通即斷，怎樣調節他的通或是斷，便是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時igbt模塊導通，柵源極沒加電壓或 是加負壓時，igbt模塊關斷，加負壓便是為了穩定關斷。

igbt模塊沒有放大電壓的作用，導通時能夠看做導線，斷開時作為開路。

igbt模塊有3個端子，分別是G，D，S，在G和S兩邊添加電壓后，內部的電子出現轉移（半導體材料的特性，這也是為何用半導體材料做電力電子開關的緣故），本來是正離子和負離子一一對應，半導體材料呈中性，但添加電壓后，電子在電壓的作用下，累積到一側，建立了一層導電溝道，由于電子是能夠導電的，變成了導體。一旦撤除加在GS兩邊的電壓，這層導電的溝道就消失了，就不能導電了，變成了絕緣體。

igbt模塊的原理和作用電路分析版：

igbt模塊的等效線路如圖1所示。由圖1可知，若在igbt模塊的柵極和發射極兩者之間添加驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極兩者之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若igbt模塊的柵極和發射極兩者之間電壓為0V，則MOSFET截止，斷開PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
圖1 igbt模塊的等效線路

由此可見，igbt模塊的安全可靠與否主要由下列要素確定：

--igbt模塊柵極與發射極兩者之間的電壓;

--igbt模塊集電極與發射極兩者之間的電壓;

--流過igbt模塊集電極-發射極的電流;

--igbt模塊的結溫。

以上就是傳承電子對igbt逆變器原理的介紹。傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。